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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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同步整流電路是一種利用晶體管或MOSFET作為整流元件的電路,它具有效率高、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電源、變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。然而,在實(shí)...
過(guò)去數(shù)十年來(lái),為了擴(kuò)增芯片的晶體管數(shù)量以推升運(yùn)算效能,半導(dǎo)體制造技術(shù)已從1971 年10,000nm制程進(jìn)步至2022年3nm 制程,逐漸逼近目前已知的...
2023-08-12 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體封裝人工智能 1536 0
這位叫做 Sam Zeloof 的美國(guó)大學(xué)生,最終打造出1200個(gè)晶體管的CPU! 在10微米的多晶硅柵極工藝上實(shí)現(xiàn),命名為Z2。 重點(diǎn)是,與英...
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
功率放大器是電子設(shè)備中非常重要的組成部分,它能夠?qū)⑤斎氲碾娦盘?hào)轉(zhuǎn)換為更大的電流或電壓信號(hào),以驅(qū)動(dòng)各種負(fù)載。根據(jù)功率放大器的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景,我們可以將...
差分放大電路是一種非常重要的電子電路,廣泛應(yīng)用于模擬信號(hào)處理、傳感器信號(hào)放大、數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域。它對(duì)差分信號(hào)具有放大作用,能夠抑制共模干擾,提高信號(hào)的信噪...
LM2675電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)
類似于板級(jí)電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源,芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個(gè)基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。
什么是浪涌電流,它對(duì)車載充電機(jī)有哪些影響,如何抑制浪涌電流?
通過(guò)迪龍電源公眾號(hào)往期文章可知,車載充電機(jī)(On-Board Charger,OBC)是固定安裝在新能源電動(dòng)汽車上的充電機(jī),是車輛連接交流慢充口,將來(lái)自...
2024-03-19 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)熱敏電阻晶體管 1527 0
雖然 1BM 的608 晶體管計(jì)算機(jī)的質(zhì)量?jī)H 為 ENIAC 的 1/30,但 1t的質(zhì)量不可能成為陸車單兵的負(fù)街,更不可能作為飛機(jī)的裝載。20 世紀(jì) ...
2023-07-14 標(biāo)簽:集成電路計(jì)算機(jī)晶體管 1526 0
如何使用瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)對(duì)內(nèi)存模塊進(jìn)行熱分析
內(nèi)存模塊的熱損耗不斷增加,這就需要更高效的散熱設(shè)計(jì)。提高內(nèi)存模塊的散熱效率,就需要我們了解模塊中每一部分的傳熱路徑,熱阻和熱容。傳統(tǒng)的熱穩(wěn)態(tài)和JEDEC...
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
邏輯綜合完成之后,通過(guò)引入器件制造公司提供的工藝信息,前面完成的設(shè)計(jì)將進(jìn)入布圖規(guī)劃、布局、布線階段,工程人員需要根據(jù)延遲、功耗、面積等方面的約束信息,合...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
封裝設(shè)計(jì)中的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)
集成電路及其封裝是典型的由名種材料構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)體系,也是典型的多物理場(chǎng)耦合系統(tǒng)。
碳復(fù)合電阻器或碳成分電阻器能夠承受比當(dāng)今大多數(shù)其他類型的電阻器高得多的能量脈沖。電阻棒的尺寸比電子元件中應(yīng)用更廣的薄膜類型要大得多,并且能夠吸收更多的能...
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
未來(lái)十年:邏輯電路的發(fā)展趨勢(shì)與前景展望
實(shí)際測(cè)量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽(tīng)到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的高功率開(kāi)關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...
如何降低晶體管和變壓器損耗,提高開(kāi)關(guān)電源效率?牛人這樣說(shuō)
開(kāi)關(guān)電源的損耗主要來(lái)自三個(gè)元件:開(kāi)關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。
2022-12-21 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源整流二極管 1512 0
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