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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體管的工作狀態(tài)判斷是電子工程領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技能,它對于確保電路的正常運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。晶體管的工作狀態(tài)通常根據(jù)其內(nèi)部PN結(jié)的偏置情況來判斷,主...
晶體管作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,其工作條件對于確保電路的正常運(yùn)行和性能發(fā)揮至關(guān)重要。晶體管的工作條件涉及多個方面,包括電壓、電流、溫度以及濕度等。
雪崩晶體管作為一種特殊的半導(dǎo)體器件,在電子領(lǐng)域具有其獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn)。
雪崩晶體管(Avalanche Transistor)是一種具有特殊工作特性的晶體管,其核心在于其能夠在特定條件下展現(xiàn)出雪崩倍增效應(yīng)。以下是對雪崩晶體管...
單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡稱UJT)作為一種具有獨(dú)特負(fù)阻特性和開關(guān)特性的三端半導(dǎo)體器件,在電子電路中具有廣...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管單結(jié)晶體管 1181 0
單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)
單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡稱UJT),又稱為基極二極管或單晶二極管,是一種具有獨(dú)特結(jié)構(gòu)和特性的半導(dǎo)體器件。...
2024-09-23 標(biāo)簽:二極管晶體管單結(jié)晶體管 2178 0
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管有哪些特點(diǎn)
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 1364 0
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
放大電路是電子學(xué)中的基礎(chǔ)組成部分,用于增強(qiáng)信號的幅度而不改變其基本特性。在電子工程中,放大電路的設(shè)計(jì)和分析是至關(guān)重要的。放大電路的基本分析方法主要有兩種...
放大電路動態(tài)分析的基本方法主要包括 微變等效電路法 和 圖解法 。這兩種方法各有特點(diǎn),適用于不同的分析場景和目的。 1. 微變等效電路法 微變等效電路法...
JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
高頻諧振功率放大器通常工作在 丙類 狀態(tài)。這種工作狀態(tài)下的晶體管在輸入信號的周期內(nèi)只有部分時間導(dǎo)通,形成余弦脈沖電流,這種非線性的工作方式使得諧振功率放...
諧振功率放大器是一種利用電子管或晶體管等電子器件在諧振頻率附近工作,以實(shí)現(xiàn)高效率放大的電子設(shè)備。在討論諧振功率放大器的工作狀態(tài)時,我們通常會遇到兩種狀態(tài)...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...
在電子學(xué)中,飽和管壓降(saturation voltage drop)和導(dǎo)通電壓(turn-on voltage)是兩個重要的概念,它們描述了半導(dǎo)體器...
2024-09-19 標(biāo)簽:電流晶體管半導(dǎo)體器件 4030 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器...
在設(shè)計(jì)光耦合器電路時,我們需要遵循一系列的步驟以確保電路的性能和可靠性。以下是詳細(xì)的設(shè)計(jì)流程: 選擇電路結(jié)構(gòu)在這個階段,我們的目標(biāo)是保持電路的簡潔性,以...
2024-09-19 標(biāo)簽:光耦合器電路設(shè)計(jì)晶體管 682 0
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