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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 GaN Sy...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1776 0
了解和利用增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)抬頭顯示的太陽(yáng)能負(fù)載
一直以來(lái),設(shè)計(jì)AR顯示面臨的兩項(xiàng)最大挑戰(zhàn)是亮度和太陽(yáng)能負(fù)載的問(wèn)題。AR顯示需要盡可能寬和亮,這就需要成像儀發(fā)出大量光。駕駛員還需要盡可能遠(yuǎn)地將圖像投射到...
本文旨在剖析這個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心要素,從最基本的晶體結(jié)構(gòu)開始,逐步深入到半導(dǎo)體在集成電路中的應(yīng)用。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...
了解一下當(dāng)前的驗(yàn)證計(jì)劃核心vManage平臺(tái)
可以用物流公司來(lái)做個(gè)比喻。一家物流公司需要貨車和飛機(jī),運(yùn)輸工具的性能固然重要,但其部署和調(diào)運(yùn)方式同樣關(guān)鍵。飛機(jī)并不會(huì)一定比貨車好 ,兩者用途不同且優(yōu)勢(shì)互...
2022-07-21 標(biāo)簽:SoC設(shè)計(jì)晶體管 1774 0
OTL(Output Transformerless)電路是一種無(wú)輸出變壓器的音頻放大電路,它具有體積小、成本低、頻響寬等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于音頻放大器、耳...
從KMGTP和mμnpf看技術(shù)的發(fā)展及局限性
這篇文章提出了一個(gè)“技術(shù)自由空間”的概念,并應(yīng)用了一種MmT坐標(biāo)系。
2024-01-05 標(biāo)簽:硬盤內(nèi)存操作系統(tǒng) 1769 0
集成電路根據(jù)其功能、結(jié)構(gòu)、制造工藝等不同特點(diǎn),可以分為多種不同類型的分類。
當(dāng)設(shè)備產(chǎn)生熱量時(shí),熱量會(huì)通過(guò)封裝、電路板和散熱器散發(fā)出去。西門子的 Ferguson 說(shuō):“新材料和與硅散熱器直接相互作用最少的非常薄的層增加了熱阻。”
NPN雙極晶體管在集電極開路配置下運(yùn)行時(shí),其行為模式介于完全導(dǎo)通與完全截止之間,仿佛一個(gè)精密的固態(tài)開關(guān)。在沒(méi)有施加基極偏置電壓的情況下,晶體管處于關(guān)斷狀...
該音頻放大器電路是B類15瓦放大器,設(shè)計(jì)有運(yùn)算放大器(OpAmp)和晶體管。這種放大電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,其主要元件僅采用LM833 IC和晶體管TIP41和T...
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧?..
今天的許多設(shè)計(jì)都包括三個(gè)不同值的去耦電容器,或者當(dāng)只使用一個(gè)電容器時(shí),可以使用 0.1 uF 這樣的小值。這些建議基于 50 年前不適用的假設(shè)。是時(shí)候重...
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。它是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一,廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字和模擬功能中,包括放...
MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和應(yīng)用
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為...
中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”
經(jīng)過(guò) 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(S...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 1751 0
芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜性處理之層次結(jié)構(gòu)概念分析
考慮當(dāng)今使用的層次結(jié)構(gòu)形式的最簡(jiǎn)單方法是要求工程師從概念上設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)。他們可能會(huì)開始繪制一個(gè)包含大塊的框圖,其中包含 CPU、編碼器、顯示子系統(tǒng)等標(biāo)...
晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括...
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