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200V,2A 硅鍺(SiGe) 整流器-PMEG200G20ELP-Q立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56中的N溝道 25V,1.2mΩ、230A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 40V,1.1 mΩ、280A 邏輯電平 MOSFET,采用 SOT1023A 增強(qiáng)型封裝,適用于 UL2595,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN1R0-40ULD立即下載
2023-02-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
50 V、500 mA NPN 電阻器晶體管;R1 = 10kΩ,R2 = 10kΩ-PDTD114ET立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
1 個(gè)低VF MEGA 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG3010BEA立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
20V,1A 低VF MEGA 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG2010BELD-Q立即下載
2023-02-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
30V,180mA 雙N溝道溝槽 MOSFET-NX3020NAKS立即下載
2023-03-02 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y19-55B立即下載
2023-02-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
2023-02-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
20 V,互補(bǔ) N/P 溝道溝槽 MOSFET-PMCXB900UEL立即下載
2023-02-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
NPN/NPN電阻搭載晶體管;R1=2.2kΩ,R2=47kΩ-PEMH10_PUMH10立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 25 V、0.98 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR89-25YLE立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
1 極低 VF MEGA 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG2010BEV立即下載
2023-02-07 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
60V,1A NPN 中等功率晶體管-BCP55-Q_SER立即下載
2023-02-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
40V,1A 低VF MEGA 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG4010AESB立即下載
2023-03-02 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y25-80E立即下載
2023-03-03 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
LFPAK33中的N溝道 80V,28 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M28-80E立即下載
2023-02-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
60V,1A 低VF 肖特基勢(shì)壘整流器-PMEG6010CEGW-Q立即下載
2023-02-08 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 40 V 7.6mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40PS立即下載
2023-02-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7613-60E立即下載
2023-03-03 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)安世 295 0
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