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技術文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
LMG3614 具有集成驅動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 ...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅動器和保護概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
采用 MPS SiC 二極管最大程度地降低高頻開關模式電源的損耗
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 高頻開關模式電路,如采用連續傳導模式 (CCM) 的功率因數校正 (PFC) 電路,需要開關損...
使用 MPS SiC 二極管可最大限度地降低高頻開關模式電源中的損耗
與 Si 相比,Vishay 的 MPS SiC 肖特基二極管具有更高的正向電流額定值、更低的正向壓降和更低的反向恢復損耗,所有這些都采用更小的封裝和更...
在現代電子設備中,電源供應器的選擇與設計對設備的性能與穩定性有著至關重要的影響。其中,開關模式電源(Switch Mode Power Supply,簡...
高頻開關電源,其英文名稱為開關模式電源,又稱開關電源、開關轉換器、開關整流器SMR。它是一種高頻電能轉換裝置。它的功能是通過不同形式的架構將一定水平的電...
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