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標(biāo)簽 > 工藝
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外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類(lèi),包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(zhǎng)(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...
近幾年塑料行業(yè)發(fā)展越來(lái)越迅速,其中注塑行業(yè)也正迎來(lái)一個(gè)飛速發(fā)展的機(jī)遇。但同時(shí)行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)也日漸激烈,各廠家除了重視產(chǎn)品質(zhì)量和品牌外,也越來(lái)越重視生產(chǎn)成本的控制。
半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
摘 要:針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度,分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)介紹集成電路...
晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...
低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)是一種新型多層基板工藝技術(shù),采用了獨(dú)特的材料體系,因其燒結(jié)溫度低,可與金屬導(dǎo)體共燒,從而提高了電子器件性能。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用...
細(xì)間距小尺寸的焊盤(pán)鍵合工藝是微波組件自動(dòng)鍵合工藝面臨的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。針對(duì)具體產(chǎn)品,分析了細(xì)間距小尺寸焊盤(pán)的球焊鍵合的工藝控制要點(diǎn),提出了改進(jìn)劈刀結(jié)構(gòu)、改...
晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...
電池包解析:殼體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及連接工藝
電池包殼體輕量化,對(duì)于提升電池包能量密度有著重大意義。
2023-05-11 標(biāo)簽:工藝焊接結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 3235 0
汽車(chē)線束素有汽車(chē)神經(jīng)之稱(chēng),是對(duì)汽車(chē)進(jìn)行電信號(hào)控制的載體,汽車(chē)線束是汽車(chē)電路的網(wǎng)絡(luò)主體,沒(méi)有線束也就不存在汽車(chē)電路。目前,不管是高級(jí)豪華汽車(chē)還是經(jīng)濟(jì)型普通...
離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
離子注入過(guò)程提供了比擴(kuò)散過(guò)程更好的摻雜工藝控制(見(jiàn)下表)。例如,摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過(guò)程中無(wú)法獨(dú)立控制,因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注...
最近嘉立創(chuàng)新推出了FPC軟板工藝,大家平時(shí)工作學(xué)習(xí)過(guò)程中肯定經(jīng)常有用到過(guò)FPC軟板或者杜邦線進(jìn)行板與板之間的柔性連接,相信很多人都用過(guò),但不一定自己設(shè)計(jì)...
半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)工藝流程科普!
第九步退火,離子注入后也會(huì)產(chǎn)生一些晶格缺陷,退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱,使得注入的粒子擴(kuò)散,恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu),修復(fù)缺陷,激活所需要的電學(xué)特性。
2023-04-28 標(biāo)簽:工藝晶體管半導(dǎo)體設(shè)備 3713 0
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...
SiP封裝是指將多個(gè)不同芯片集成在同一個(gè)封裝體內(nèi),形成一個(gè)器件系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn)多功能、小尺寸、高性能、低成本的目標(biāo)。由于使用倒裝等不同的互連工藝,它可以分為...
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí),從平面穿通型(PT)到微溝槽場(chǎng)截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
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