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選擇元器件時應優先考慮國產化的元器件,避免選擇國外定制或敏感度較高的器件,一旦發生突發狀況,將影響元器件的采購。原材料的選擇應從材料的物理和化學特性多方...
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節點之后,傳統的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現更高的存儲容量,NAND集...
燒滲法也叫被銀法。這種方法是在陶瓷的表面燒滲一層金屬銀,作為電容器、濾波器的電極或集成電路基片的導電網絡。銀的導電能力強,抗氧化性能好,在銀面上可直接焊...
熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度,...
由下圖可以看出當氣體密度較高時MFP較短(a);而當氣體密度較低時,MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大,掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比,大...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結構,可以...
其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產生的自由基,自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩定。自由基在化學上非常活躍,能奪取其他原子或分子的電子形...
等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕,等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體...
激光退火系統采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點溫度。由于硅的高導熱性,硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統可以在離...
合金化熱處理是一種利用熱能使不同原子彼此結合成化學鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝,半導體制造過程中已經使用了很多合金工藝,自對準金屬硅化物工藝過程中一般...
高壓氧化必須使用特殊的硬件條件,下圖是高壓氧化系統的說明圖。由于硬件條件的復雜性和安全因素,先進半導體生產中并不常使用高壓氧化技術。
PCB的保存和烘烤時間跟地區有很大的關系,在南方濕氣一般比較重,特別是在廣東和廣西這些地區,在每年的三四月份會出現有“回南天”的天氣,每天陰雨連綿,這時...
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