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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列
采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列,進一步提升比導通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說...
新能源汽車高效節(jié)能MPQ4371的高效節(jié)能方案
MPQ4371是一款42V、6A-11A多相同步降壓轉換器,可以應用于新能源汽車的高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、智能座艙(Cockpit)、車燈(Lig...
CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET:功能強大的應用解決方案
摘要:CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術,具有出色的Qg*Ro...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加,其他結構(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導通電阻。
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞
既然開關的驅動力比電阻強,那么能不能把電阻也換成開關?恭喜你,發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)代CMOS邏輯電路的基本單元:倆互補的開關。
各轉換器的傳遞函數(shù)-開關的導通電阻對傳遞函數(shù)的影響
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數(shù)導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數(shù)的影響”。
Mos是電壓驅動型器件,只要柵極和源級間給一個適當電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻,就是導通電阻。
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