高頻電解電容與普通電解電容的區別

電解電容的基本結構是外面有個鋁殼，里面充滿了電解質，并引出兩個正負極電極，這就構成了電解電容的基本結構，它的作用主要是濾波，也就是減少紋波、穩定電流，廣...

2023-07-25 標簽：電容器電路圖電解電容 2734 0

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負柵極電壓、發射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2)：在t1時刻，VGE>Vth，溝道開啟，電子開始通過溝道注入到基區，同時背面的集電極開始向基區內注入空穴，集電極開始產生電流I...

2023-07-14 標簽：TVS二極管IGBT續流二極管 2341 0

IGBT雙脈沖仿真—片內寄生電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

2023-07-13 標簽：仿真器IGBT續流二極管 1108 0

HSIM, XA及其與VCS的混合驗證方案在RF收發器芯片中的應用

本文所用測例RFIC是一款自研射頻收發器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz頻段，126通道，集成了頻率綜合器，功率放大器，調制和...

2023-07-11 標簽：功率放大器EDA工具仿真器 1.0萬 0

射頻頻率上就沒有純正的？

為啥在外行的人看來，射頻這么玄乎呢？

2023-07-10 標簽：電容器電阻器射頻電路 438 0

PCB多層板疊層設計

PCB(Printed Circuit Board)，即印刷電路板，其按照導體層數分類，可以分為只有一面覆銅的單面板，兩面都有覆銅的雙面板，以及具有多個...

2023-07-08 標簽：電容器PCB板IC設計 5034 0

淺談VCC和GND間的電容作用

電源與地之間接電容的原因有兩個作用，儲能和旁路儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源電壓會被拉低。

2023-07-07 標簽：電容電解電容寄生電感 1033 0

射頻中的旁路與去耦設計時注意的要點

射頻電路工作頻率高，與數字、模擬電路相比，射頻電路非理想特性眾多，寄生效應復雜。

2023-07-04 標簽：放大器MLCC射頻電路 1319 0

MOS管的柵極開通驅動電阻

在驅動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標準的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標簽：驅動器振蕩器MOS管 6649 0

簡單分析一下如何進行合理PCB layout布局以及設計中的注意事項

在DCDC電源電路中，PCB的布局對電路功能的實現和良好的各項指標來說都十分重要。

2023-06-25 標簽：PCB布局寄生電感buck電路 788 0

PCB走線中需要注意的7個點

今天給大家分享的是：PCB走線中需要注意的7個點。 一、PCB 電源布線 數字電路很多時候需要的電流是不連續的，所以對一些高速器件就會產生浪涌電流。 如...

2023-06-19 標簽：寄生電感PCB走線高速器件 3907 0

提升PCB板Layout質量的6個細節

現在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規則來完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標簽：PCB板Layout寄生電容 882 0

為啥在外行的人看來，射頻這么玄乎呢？

比如，下圖所示，是廠家標稱高頻電阻的阻值與頻率之間的關系。雖然在其手冊上，寫的是High Frequency（Up to 40GHz）Resistor,...

2023-06-09 標簽：射頻電容寄生電感 788 0

單片機EMC檢測工作如何輕松搞定？

EMC：Electromagnetic Compatibility，即電磁兼容性。指設備或系統在其電磁環境中符合要求運行并不對其環境中的任何設備產生無法...

2023-06-09 標簽：單片機emc電磁干擾 514 0

硬件測試-噪聲的測試分析（1）

隨著超大規模集成電路的發展，芯片工作電壓越來越低，而工作速度越來越快，功耗越來越大。

2023-05-29 標簽：寄存器微處理器晶體管 2192 0

怎樣才能知道0.5W的電阻可以承受多長時間0.7W功率的脈沖呢？

例如，已知電阻消耗功率為0.7W，在選擇器件的時候，僅僅知道應該選擇容量為 1W的電阻是不夠的。

2023-05-29 標簽：PCB板貼片電阻運算放大器 3120 0

MOSFET雪崩特性參數解析

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。

2023-05-24 標簽：MOSFETRCD寄生電感 5082 0

SiC動態表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術為電源、電動汽車和充電、大功率工業設備、太陽能應用和數據中心等多個行業顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標簽：MOSFET寄生電感體二極管 2305 0

MOS_DS電壓尖峰產生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。

2023-05-19 標簽：MOSFETMOS管SiC 7234 0