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標(biāo)簽 > 寬禁帶
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納微半導(dǎo)體發(fā)布2022第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
加利福尼亞州加州埃爾塞貢多訊,氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克:NVTS)今日公布截至2022年3月31日的第一季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2022-05-19 標(biāo)簽:元器件數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1975 0
第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦
大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...
UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
瑞能半導(dǎo)體如何才能在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中突圍
2015年,瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨(dú)立出來(lái),如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商,特別是碳化硅市場(chǎng)份額在國(guó)際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展,瑞能半導(dǎo)體...
2021-08-20 標(biāo)簽:恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2285 0
貿(mào)澤電子Empowering Innovation Together系列最新節(jié)目,探討電源管理新技術(shù)
本系列將重點(diǎn)關(guān)注每個(gè)月的行業(yè)技術(shù)熱點(diǎn),并圍繞當(dāng)今的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)及時(shí)推出播客、視頻、博客、文章和信息圖
2021-06-03 標(biāo)簽:電源管理安森美半導(dǎo)體SiC 1127 0
目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SJMOSFET)來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概1...
2020-11-05 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源 1692 0
寬禁帶功率器件讓人“愛(ài)恨交織”,大滿貫選手教你如何一招選型
與傳統(tǒng)主流的硅材料相比,作為新材料的SiC和GaN有哪些特性?以SiC為例,如下圖所示,從物理特性來(lái)看,SiC與硅材料的電子遷移率相差不大,但其禁帶寬度...
在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù),我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...
三安集成為寬禁帶電力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布全新升級(jí)生產(chǎn)平臺(tái)
根據(jù)Yole分析報(bào)告,GaN電力電子市場(chǎng)在2017-2023年間,預(yù)計(jì)將以55%的年復(fù)合增長(zhǎng)率速度發(fā)展。另一份Yole市場(chǎng)技術(shù)報(bào)告指出,SiC電力電子市...
寬禁帶技術(shù)對(duì)未來(lái)的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)至關(guān)重要
在使用的各種形式的可再生能源中,太陽(yáng)能和風(fēng)能已成為最常使用的能源,并負(fù)責(zé)產(chǎn)生大多數(shù)清潔可再生能源。
2020-05-27 標(biāo)簽:太陽(yáng)能發(fā)電光伏可再生能源 1131 0
日前,在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會(huì)議上,中科院院士、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)...
盤點(diǎn)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件最新進(jìn)展
郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件,利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù),器件的fmax達(dá)320GHz,在輸出功率密度一定的情況下,功率附加效率在30...
寬禁帶的SiC和GaN將會(huì)是下一代功率器件的基礎(chǔ)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如,數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3...
2018-07-24 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6581 0
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