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標(biāo)簽 > 寬禁帶
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在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù),我國除了在硅基方面進行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...
日前,在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會議上,中科院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)...
郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件,利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù),器件的fmax達(dá)320GHz,在輸出功率密度一定的情況下,功率附加效率在30...
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如,數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3...
2018-07-24 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6582 0
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(I...
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...
2024-11-29 標(biāo)簽:電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5279 0
氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2612 0
第16屆“中國芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦
大會同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動后摩爾時代發(fā)展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...
2015年,瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨立出來,如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商,特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展,瑞能半導(dǎo)體...
2021-08-20 標(biāo)簽:恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2291 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布2022第一季度財務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州加州埃爾塞貢多訊,氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克:NVTS)今日公布截至2022年3月31日的第一季度未經(jīng)審計的財務(wù)業(yè)績。
2022-05-19 標(biāo)簽:元器件數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1977 0
意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)
意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,...
2022-10-08 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1874 0
6月25日,2022 中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇在廣州南沙召開。本次峰會由廣州南沙經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、廣州市工業(yè)和信息化局主辦;支持單位為廣州...
目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SJMOSFET)來調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概1...
三安集成為寬禁帶電力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)布全新升級生產(chǎn)平臺
根據(jù)Yole分析報告,GaN電力電子市場在2017-2023年間,預(yù)計將以55%的年復(fù)合增長率速度發(fā)展。另一份Yole市場技術(shù)報告指出,SiC電力電子市...
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...
第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多...
寬禁帶半導(dǎo)體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!
國際半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)Yole預(yù)測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到約63億美元,其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達(dá)到近50億美元,占比...
2023-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 1194 0
2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即:行業(yè)精英齊聚,共話前沿技術(shù)
7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴一道深入...
寬禁帶技術(shù)對未來的太陽能發(fā)電系統(tǒng)至關(guān)重要
在使用的各種形式的可再生能源中,太陽能和風(fēng)能已成為最常使用的能源,并負(fù)責(zé)產(chǎn)生大多數(shù)清潔可再生能源。
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