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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以...
NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù),其中NANDFlash存儲(chǔ)器具有容量較大,擦寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧?然...
青島智騰微電子主打的175度耐高溫大容量存儲(chǔ)器,具有高低溫下快速讀寫(xiě),可靠高、能優(yōu)良等特點(diǎn)??砷L(zhǎng)期工作在-45℃~175℃的惡劣環(huán)境中。它綜合了高能和低...
非易失性MRAM存儲(chǔ)器在各級(jí)高速緩存中的應(yīng)用
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失...
四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭(zhēng)奪3D NAND市場(chǎng)
包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠或以既有...
2015-10-09 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè) 916 0
MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器,使用壽命幾乎無(wú)限。所具有的綜合性能是任何其他...
FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn),在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)...
三星電子Q3營(yíng)收67萬(wàn)億韓元年減12% 芯片部門(mén)虧損3.75萬(wàn)億韓元
三星電子的核心半導(dǎo)體、半導(dǎo)體部門(mén)q3繼上季度(4萬(wàn)4000億韓元)之后,出現(xiàn)了3萬(wàn)7500億韓元的營(yíng)業(yè)虧損。這是因?yàn)殡m然dram和nand的價(jià)格出現(xiàn)恢復(fù)...
韋樂(lè)平:光器件是發(fā)展瓶頸的“瓶頸”,光芯片是瓶頸的“立方”
韋樂(lè)平強(qiáng)調(diào),光系統(tǒng)對(duì)于光器件的總體要求為兩高兩低:高速率、高集成、低功耗、低成本。提升光系統(tǒng)性能主要技術(shù)突破方向?yàn)楣庾蛹?、基于硅光的光電共封、光器件?/p>
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SR...
全球最低功耗相變存儲(chǔ)器:比主流產(chǎn)品低1000倍
華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲(chǔ)器:比主流產(chǎn)品1000倍 來(lái)源:芯智訊 1月20日,從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉,該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最...
近日,AMD(超威,納斯達(dá)克股票代碼:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,這款自適應(yīng) SoC 平臺(tái)旨在面向各種工作...
帶寬性能要求與噪聲性能要求沖突時(shí),應(yīng)該如何取舍呢?
帶寬性能要求與噪聲性能要求沖突時(shí),應(yīng)該如何取舍呢? 在處理帶寬性能要求與噪聲性能要求沖突時(shí),我們需要充分權(quán)衡各種因素,以確保達(dá)到最佳解決方案。下面將詳細(xì)...
256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部組織為32K字,每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz,采用最先進(jìn)的CMO...
工業(yè)計(jì)算內(nèi)存模塊專用MRAM存儲(chǔ)器的介紹
并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來(lái)看,可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)...
2020-07-20 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 911 0
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128可用于制造程序監(jiān)控
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-10-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器監(jiān)控系統(tǒng)鐵電存儲(chǔ)器 911 0
存儲(chǔ)器國(guó)家隊(duì)豪言:2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)
楊士寧透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利,產(chǎn)品指標(biāo)也良好,預(yù)計(jì)將在 2019 年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。甚至豪言,要在 2019 年與...
2017-01-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND Flash長(zhǎng)江存儲(chǔ) 911 0
西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日發(fā)布了Solido? IP驗(yàn)證套件,這是一套全面的自動(dòng)化簽核解決方案,專為設(shè)計(jì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的質(zhì)量保證而生。此套件專注于為標(biāo)準(zhǔn)...
2024-05-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器西門(mén)子芯片設(shè)計(jì) 911 0
鋰-氧電池技術(shù)獲突破,電子存儲(chǔ)容量將翻倍
據(jù)外媒報(bào)道,加拿大滑鐵盧大學(xué)Linda Nazar教授宣布,其研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)四電子轉(zhuǎn)換(four-electron conversion),該技術(shù)將實(shí)...
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