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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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基于FPGA的深度學(xué)習(xí)CNN加速器設(shè)計(jì)方案
因?yàn)镃NN的特有計(jì)算模式,通用處理器對(duì)于CNN實(shí)現(xiàn)效率并不高,不能滿(mǎn)足性能要求。 因此,近來(lái)已經(jīng)提出了基于FPGA,GPU甚至ASIC設(shè)計(jì)的各種加速器來(lái)...
2023-06-14 標(biāo)簽:處理器FPGA設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器 2807 0
MSP430 FR2xx系列MCU BSL與MSP432 P系列MCU BSL對(duì)比匯總
引導(dǎo)加載程序 (BSL) 是內(nèi)置到 MSP 低功耗微控制器 (MCU) 中的應(yīng)用。借助該應(yīng)用,用戶(hù)可以與 MCU 通信,以便從其存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)或向其中...
典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析
這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏琋AND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度,以...
2023-06-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3d nand隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2803 0
在筆者看來(lái),市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M鎯?nèi)計(jì)算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
汽車(chē)?yán)锩總€(gè)SoC和高端MCU都需要存儲(chǔ)器配合,用量最大的是座艙SoC和智能駕駛SoC,其次是T-Box和儀表,再次是網(wǎng)關(guān)和底盤(pán)。
OPT3101工廠(chǎng)校準(zhǔn)指南與調(diào)試經(jīng)驗(yàn)
OPT3101與傳統(tǒng)紅外,超聲波等方案對(duì)比具體高精度,寬視角,以及對(duì)溫度,光照免疫等優(yōu)勢(shì),還可以在某些應(yīng)用場(chǎng)景下避免專(zhuān)利問(wèn)題(如掃地機(jī)器人避障功能)。同...
基于S3C241OX微處理器和MC39i模塊實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
本文的終端平臺(tái)的無(wú)線(xiàn)接入模塊采用西門(mén)子最新推出的 MC39i模塊,并以 32位基于ARM920T的微處理器S3C241OX為核心。按照功能分類(lèi),本文所實(shí)...
2021-05-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器無(wú)線(xiàn)微處理器 2794 0
與開(kāi)發(fā)成本很高的ASIC相比,F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的青睞。此外, FPGA的性能和功能也越來(lái)越強(qiáng)大,包括32位軟處理器、SERDES...
存儲(chǔ)器映射與寄存器映射的區(qū)別 推挽輸出和開(kāi)漏輸出的概念
本篇文章是我在學(xué)習(xí)STM32f103時(shí)整理出來(lái)的知識(shí)點(diǎn),知識(shí)點(diǎn)之間沒(méi)有連貫性,各位看官可以選擇自己感興趣的知識(shí)點(diǎn)觀看。
在STM32微控制器中,Boot引腳(通常指的是BOOT0和BOOT1引腳)的狀態(tài)決定了設(shè)備啟動(dòng)時(shí)的引導(dǎo)模式。這些引腳的狀態(tài)在復(fù)位時(shí)被讀取,并據(jù)此選擇啟...
可編程邏輯器件APEX20K的特點(diǎn)、功能及應(yīng)用案例
APEX20K是Altera公司生產(chǎn)的首款帶有多核架構(gòu)的可編程邏輯器件,密度在30 000到1 500 000門(mén),時(shí)鐘速度高達(dá)822MHz。這種多核結(jié)構(gòu)...
擦除后的值是指將Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)全部清除,并將其重置為初始狀態(tài)。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì),它使用電子存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。擦除后的F...
可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable Read-Only Memory,簡(jiǎn)稱(chēng)PROM)是一種特殊的只讀存儲(chǔ)器,其存儲(chǔ)內(nèi)容可以通過(guò)編程來(lái)改變。PRO...
2024-08-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)PROM 2776 0
壓力安裝在每一代新一代電子系統(tǒng)中,可將公用電力轉(zhuǎn)換為最大效率,密度和速度的負(fù)載。為了在過(guò)去幾十年中實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),電源架構(gòu)已從集中式電源架構(gòu)(CPA)演變...
什么是半導(dǎo)體?分立半導(dǎo)體器件知識(shí)
以電阻系數(shù)標(biāo)示電導(dǎo)率時(shí),半導(dǎo)體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間,導(dǎo)體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間,絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至10...
STM32入門(mén)學(xué)習(xí)筆記之EEPROM存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)1
EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory),稱(chēng)為帶電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器,...
基于LPC2124芯片和GPRS網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)終端系統(tǒng)程序的遠(yuǎn)程升級(jí)
用電現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控終端是一種與多功能計(jì)量設(shè)備同步計(jì)量并全方位監(jiān)控用電狀況的智能化設(shè)備,在目前全國(guó)電力緊缺的情況下,起到了削峰填谷,提高電網(wǎng)運(yùn)行效率的作用,尤其...
用于UltraScale存儲(chǔ)器IP的Vivado硬件管理器
了解如何使用Xilinx SDK創(chuàng)建Linux應(yīng)用程序。 我們還將重點(diǎn)介紹和演示支持Linux應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)和調(diào)試的不同方面的SDK功能。 整個(gè)過(guò)程快...
使用MCU Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)舉例
ME32x系列是內(nèi)嵌ARM Cortex M0/M3核的32位微控制器。該系列控制器由敏矽微電子有限公司自主開(kāi)發(fā),并具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。敏矽微電子的微控制...
Distributed Memory Generator IP核簡(jiǎn)介
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。IP可用來(lái)創(chuàng)建只讀存儲(chǔ)器 (ROM...
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