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標簽 > 多晶硅
多晶硅,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。
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隨著硅材料在半導體和光電子領域的應用日益廣泛,痕量金屬元素對材料性能和質量的影響越來越大,高精度的硅材料痕量金屬檢測方法顯得尤為重要。
目前,國內市場多晶硅供應充裕,廠家裝置部分停工,國內整體開工率保持在80-90%,截止4月17日,國內多晶硅廠家只有1-2家裝置檢修或降負荷生產,國內生...
2020-04-21 標簽:多晶硅 2013 0
中國機電產品進出口商會宣布與歐委會貿易救濟調查機關就中國輸歐光伏產品貿易爭端達成價格承諾,承諾價格下限在0.57歐元/瓦左右,為期兩年。行業人士稱若能達...
多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思 多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛
3月31日晚,保利協鑫公布2019年年報。2019年,公司共生產多晶硅57394噸,生產硅片31852MW,年內收益達192.5億元,毛利潤約46.78...
如何減小cmos帶隙基準溫度系數工藝角的影響? CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)技術是現代電子...
過去一周有三家太陽能企業提交破產申請,這是繼上一輪價格急速下滑時Q-Cells等太陽能巨頭破產、中國無錫尚德宣告破產之后,又一輪新的破產潮。
蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考...
工程師泰勒.希克曼帶領的科學小組已經取得了火箭發動機3D打印技術的階段性成果,這一研究或將改變火箭發動機的設計和制造。
多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術,晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系;此外,由于多晶...
外有多晶硅企業競爭的巨大沖擊,內有高企電價、盲目投資帶來的巨大壓力,中國多晶硅企業內外交困。可以預見,在這場自我救贖戰中,80%的中小企業將無奈出局...
據報道,內蒙古鑫華半導體科技有限公司有關負責人表示,該項目投資約28億元,產值約24億元,可生產1萬噸電子級硅。鑫華是目前國內最大的半導體多晶硅供應企業。
根據 TrendForce 綠能研究(EnergyTrend)最新太陽能報價,7 月底隨著大廠陸續歲修以及中國多晶硅龍頭廠突發的產線檢修,多晶硅供應瞬間...
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