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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場效應晶體管(ISFET)
據麥姆斯咨詢報道,德國弗勞恩霍夫光子微系統研究所(Fraunhofer IPMS)開發出一種用于芯片式pH值測量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場效應...
近期,科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應用中起著關鍵的作用。飽和區是...
Qorvo最近發布了一款新的碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品,這款產品專為電動汽車(EV)而設計,符合車規標準。
H20R1203到底能不能用IRF 250代換? H20R1203和IRF250是兩種不同的電力場效應晶體管。雖然它們可能在一些電路應用中具有相似的性能...
MOS管在電路中如何控制電流大小? MOS管是一種非常常見的電子器件,常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結構 MOS管全稱金屬...
臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術,2nm 工藝按計劃 2025 年量產
12 月 14 日消息,臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的小組研討會上透露,其 1.4nm 級工藝制程研發已經全面展開。同時,...
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MOS的三個極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
GaN器件是平面器件,與現有的Si半導體工藝兼容性強,因此更容易與其他半導體器件集成,進一步降低用戶的使用門檻,并在不同應用領域展現它的屬性和優勢,很有...
p溝道和n溝道的區別 n溝道和p溝道怎樣區分? 區分p溝道和n溝道的關鍵在于材料的雜質摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質能夠改變材料的導電性質,...
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