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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件,并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電,所以又稱為單極晶體管。場...
Xilinx 7系列FPGA高性能接口與2.5V/3.3V外設IO接口設計
Xilinx 7系列FPGA IO Bank分為HP Bank和HR Bank,HP IO接口電壓范圍為1.2V~1.8V,可以實現高性能,HR IO接...
隨著傳統平面晶體管的尺寸縮小,器件物理學家稱為短溝道效應的器件占據了中心位置。總的來說,由于源極和漏極之間的距離變得非常小,電流會在不應該泄漏的時候漏過...
基于他對理解半導體物理學的理論貢獻和他發明的結型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學獎,以表彰“半...
集成電路密度的提升是一個業界持續追求的方向,也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式,其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關。
mos管,即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。
曹原導師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實現開關超導性
低溫傳輸測量證明了高質量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎混合室溫度為40 mK時使...
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