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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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ttl電路和cmos電路的區(qū)別 TTL邏輯門的電路圖設(shè)計(jì)
TTL (Transistor-Transistor Logic) 和 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semicond...
MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 3913 0
高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器逆變器 1334 0
MOSFET與BJT之間有何不同?MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好?
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種場效應(yīng)晶體管(FET),由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中,漏極由柵極端的電壓控制,因...
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFETFET場效應(yīng)晶體管 6521 0
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類
2023-07-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管逆變器 918 0
功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過程
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源斬波器MOS管 805 0
耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場景
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬 0
while(1)到底占了多少CPU功耗呢?這些功耗去哪里了呢?
我們將CPU簡單看作場效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。
2023-06-29 標(biāo)簽:電源管理FET場效應(yīng)晶體管 2236 0
增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么?
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式,而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 2.0萬 0
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...
在這項(xiàng)研究中,使用機(jī)械剝離和分子束外延(MBE)技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過對(duì) X 射線光電子能譜(XPS)、X 射線衍射(XRD)、拉曼光譜和二...
2023-06-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器場效應(yīng)晶體管 2299 0
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 1734 0
基于Cr2C的面內(nèi)雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻
然而,關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報(bào)道很少。已報(bào)道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2,其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...
2023-06-01 標(biāo)簽:納米場效應(yīng)晶體管磁性材料 1390 0
11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述
HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體(LCC)中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。
2023-05-26 標(biāo)簽:變頻器混頻器場效應(yīng)晶體管 1182 0
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展
近期,美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1303 0
正常時(shí)陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)
2023-05-24 標(biāo)簽:晶閘管場效應(yīng)晶體管VMOS管 556 0
場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場效應(yīng)...
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn),這就決定了場效應(yīng)晶體管與...
2023-05-16 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管雙極型 2909 0
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