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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實現(xiàn)放大,但具有兩個半導體界面或結(jié),而不是一個。與點接觸晶體管一樣,施加的電壓克服勢壘并使電流流動,該電流由較小的輸入電流調(diào)制。
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、...
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)其導電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導通電阻。
關(guān)于基于三值文字運算的碳納米場效應晶體管SRAM的設計
隨著CMOS技術(shù)進入納米級工藝,金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)的GS(柵極...
五極管(又稱場效應晶體管,F(xiàn)ET)和三極管是兩種不同的半導體器件,它們的接法和特性曲線也有很大的差異。
具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標簽:開關(guān)電源場效應晶體管氮化鎵 3240 0
場效應晶體管 (FET) 實現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器
反饋振蕩器 振蕩器中使用正反饋來保持運行或振蕩。振蕩器基本上是一個放大器,它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號返回到輸入以保持振蕩。反...
場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱B...
繼電器的原理是基于電磁感應。當電流通過繼電器的線圈時,產(chǎn)生的磁場會使開關(guān)閉合或斷開。這樣,繼電器就可以在一個電路中控制另一個電路的通斷。例如,可以使用低...
運算放大器基本原理圖 運放常見的參數(shù)有哪些?運放計算思想
運算放大器(Integrated Operational Amplifier)簡稱集成運放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路。
2023-08-16 標簽:運算放大器場效應晶體管AD轉(zhuǎn)換器 3082 0
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
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