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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別...
在電子元件中,金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOS管)是獨特且重要,然而相比其他元件,MOS管很容易失效,導致電路無法正常運行,因此工程師必須查找原因...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導體器件,結合了絕緣柵場效應晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場效應晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設計方式與雙極晶體管電路的設計方式大不相同。
電源防反接(也稱作反接保護)是一種電子電路設計中非常重要的環節,主要用于防止電源(如電池)的正負極被錯誤連接導致的系統損壞或故障。在實際應用中,反接保護...
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為一種常見的電子元件,其壽命的長短對于電子產品的質量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多...
設計一個NMOS和PMOS管的開關電路涉及到電路的基礎知識、原理和設計過程。在本文中,我們將詳細討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關電路的設計考慮因...
NMOS和PMOS是常見的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的兩種類型,它們在電子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符號和電路結構差異...
請教一下經受過嚴重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設備中一種常見的危害,它可能導致集成電路(IC)的損壞。對于CMOS IC來說,經受過嚴重ESD電擊的可靠性會降低。
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優...
MOSFET發生EOS的失效模式有哪些?如何區分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件,其主要功能是控制電流的流動。
PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補型式,也稱為CMOS技術,其...
N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路,它在數字電子電路中起著重要的作用。在本文中,我們將詳盡、詳實、細致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達...
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