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標簽 > 合科泰
合科泰成立于1992年,專業從事半導體模擬芯片和分立器件的研發設計、封測生產和銷售于一體的高科技創新企業。產品線包括鋰電保護IC、充電管理IC、LDO、MOSFET,二極管、TVS、橋堆,三極管等分立器件和集成電路,為客戶提供應用解決方案和現場技術支持服務。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
MB2F | - |
獲取價格
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MB1F | - |
獲取價格
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MB05F | - |
獲取價格
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ES1G | - |
獲取價格
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ES1E | - |
獲取價格
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ES1D | - |
獲取價格
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ES1C | - |
獲取價格
|
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ES1B | SMA 100V |
獲取價格
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ES1A | SMA 50V |
獲取價格
|
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MB8S | - |
獲取價格
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MB4S | 整流橋 VRRM=400V If=800mA VF=1V CJ=13pF MBS |
獲取價格
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RB520S-30 | 肖特基勢壘二極管 SOD523 30V 200mA |
獲取價格
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MMBD4148A | 100V+150℃@(Tj)350mW單個1V@10mA4納秒5uA@75V200mA SOT-23開關二極管ROHS |
獲取價格
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BAV21W | SOD123 500mW |
獲取價格
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S8205A | 雙N溝道增強型場效應晶體管 |
獲取價格
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B772 | 雙極晶體管 (PNP)VCBO=40V VCEO=30V VEBO=6V IC=3A SOT89 |
獲取價格
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A733 | 雙極晶體管(PNP)VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V IC=150mA SOT323 |
獲取價格
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2SC3356 | 雙極晶體管 NPN VCBO=20V VCEO=12V VEBO=3V IC=100mA SOT323 |
獲取價格
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1N5819W | 直流反向耐壓(Vr):40V 平均整流電流(Io):1A 正向壓降(Vf):900mV@3A 反向電流(Ir):1mA@40V |
獲取價格
|
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C945 | 雙極晶體管(NPN)VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V IC=150mA SOT23 |
獲取價格
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2SC3357 復制 | NPN硅射頻晶體管 |
獲取價格
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2SC3357 | NPN硅射頻晶體管 |
獲取價格
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FL8205 | N溝道 漏源電壓(Vdss):20V 連續漏極電流(Id):6A 功率(Pd):1.5W |
獲取價格
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2SC1623 L7 | 雙極型晶體管(NPN) VCBO=60V VCEO=50V VEBO=5V SOT23 |
獲取價格
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2SC1623 L6 | 雙極型晶體管(NPN) |
獲取價格
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1N4148W | 二極管配置:獨立式 功率:350mW 直流反向耐壓(Vr):100V 平均整流電流(Io):150mA |
獲取價格
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2SC2712 | 三極管 NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=70~700 P=150mW SOT23 |
獲取價格
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MMBT3904 | 三極管 NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=200mW SOT23 |
獲取價格
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S8550 | 三極管 PNP Ic=500mA Vceo=25V hfe=120~400 P=300mW SOT23 |
獲取價格
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2SC1623 L5 | 晶體管類型:NPN 集射極擊穿電壓(Vceo):50V 集電極電流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce):135@1mA,6V 特征頻率(fT):250MHz 工作溫度:+150℃@(Tj) L5(135~270) |
獲取價格
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