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      標(biāo)簽　>　反應(yīng)離子刻蝕

      反應(yīng)離子刻蝕

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      反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)

      純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕及反應(yīng)式離子刻蝕介紹

      刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。

      2023-02-20 標(biāo)簽：PVD反應(yīng)離子刻蝕 4564 0

      簡要說明濕法蝕刻和干法蝕刻每種蝕刻技術(shù)的特點(diǎn)和區(qū)別

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      2023-01-29 標(biāo)簽：反應(yīng)離子刻蝕 7206 0

      工藝參數(shù)對微溝槽缺陷形成的影響并改進(jìn)微溝槽缺陷

      隨著集成電路密度的不斷提高，多晶硅柵的線寬不斷變小，柵氧化層的厚度繼續(xù)變薄，多晶硅的刻蝕變得越來越關(guān)鍵。多晶硅柵的形貌控制，柵氧化層二氧化硅的損失等關(guān)鍵...

      2017-12-20 標(biāo)簽：集成電路制造反應(yīng)離子刻蝕 5026 0

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      反應(yīng)離子刻蝕資訊

      炬光科技加大瑞士投資，強(qiáng)化微納光學(xué)產(chǎn)能與研發(fā)

      西安炬光科技近日宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略舉措：公司將進(jìn)一步加大在瑞士的投資力度。此次投資旨在提升高精度光刻-反應(yīng)離子蝕刻微納光學(xué)的前端產(chǎn)能，并同步增強(qiáng)其前沿研...

      2025-02-11 標(biāo)簽：炬光科技反應(yīng)離子刻蝕 437 0

      離子刻蝕機(jī) 解剖芯片

      責(zé)任編輯：xj 原文標(biāo)題：芯片解剖，逐層剝離 文章出處：【微信公眾號：上海季豐電子】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      2020-09-27 標(biāo)簽：芯片反應(yīng)離子刻蝕 2566 0

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      反應(yīng)離子刻蝕數(shù)據(jù)手冊

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