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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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在現(xiàn)代視覺處理系統(tǒng)中,晶振(晶體振蕩器)發(fā)揮著關(guān)鍵作用,通過提供精確、穩(wěn)定的時鐘信號,協(xié)調(diào)各個組件的操作,確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實(shí)驗(yàn)過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
關(guān)于電子元器件空間輻射單粒子效應(yīng)的考核
宇宙遍布著各種高能量的輻射粒子,這些粒子會對元器件帶來影響,如何進(jìn)行抗輻射設(shè)計(jì)成為了工程師針對邏輯類數(shù)字電路、存儲器以及某些功率器件的一個必要考量。
摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進(jìn)行燒結(jié)實(shí)驗(yàn),觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件,用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時,需要拆卸舊的模塊并安裝新的...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和高電流容量等特點(diǎn)。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT...
功率二極管(Power Diode)是一種分立式電力半導(dǎo)體器件,它的電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)大于一般的小信號二極管,可用于整流、鉗位、瞬態(tài)電壓抑制、續(xù)游、吸...
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場效應(yīng)晶體管,它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如...
激光測厚儀是一種利用激光技術(shù)測量物體厚度的儀器。它采用激光束通過物體表面反射回來的光信號進(jìn)行測量,可以非常準(zhǔn)確地得出物體的厚度。激光測厚儀結(jié)構(gòu)簡單、使用...
OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中,我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別,包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久,但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性,下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 9195 0
可控硅調(diào)壓器是一種電源功率控制電器,以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以專用控制電路為核心。它具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕...
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先,從充電效率方面來看。...
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時依然無法觀察到失效點(diǎn),這時候就需要對芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理,對于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除,直至最...
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