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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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LiDAR的技術(shù)前景,全球車用激光雷達(dá)市場(chǎng)細(xì)分
在獲得A輪3000萬(wàn)美元的融資之后,Quanergy Systems又在去年獲得了9000萬(wàn)美元的資金。“越來(lái)越多的公司開(kāi)始關(guān)注激光雷達(dá)技術(shù)。但是對(duì)于很...
導(dǎo)體半導(dǎo)體超導(dǎo)體有什么區(qū)別和聯(lián)系
導(dǎo)體、半導(dǎo)體和超導(dǎo)體是三種不同的物質(zhì)狀態(tài),它們?cè)陔妼?dǎo)率、電阻率、電子結(jié)構(gòu)和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對(duì)這三種物質(zhì)狀態(tài)的比較和聯(lián)系的分析。 一、導(dǎo)...
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)
雙向可控硅觸發(fā)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子技術(shù)中的功率控制器件,它具有無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)火花的開(kāi)關(guān)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)交流電的無(wú)級(jí)調(diào)壓、調(diào)功等功能。本文將對(duì)雙向可控...
全氟烷氧基聚合物塑料具有各種獨(dú)特的特性,使其成為許多高純度應(yīng)用的理想材料。它對(duì)腐蝕性物質(zhì)的耐化學(xué)性很好,其光滑,低摩擦表面防止退化。由于其寬的溫度范圍,...
用于集成電路制造的光刻機(jī)有兩種:半導(dǎo)體光刻機(jī)和光學(xué)(光刻)光刻機(jī)。下面將分別介紹這兩種光刻機(jī)的相關(guān)知識(shí)。半導(dǎo)體光刻機(jī)是根據(jù)芯片制造的工藝和設(shè)備來(lái)劃分的,...
流將振蕩的正弦交流電壓源轉(zhuǎn)換為恒流直流電壓源通過(guò)二極管,晶閘管,晶體管或轉(zhuǎn)換器。該整流過(guò)程可以采用多種形式,具有半波,全波,不受控制和完全可控的整流器,...
根據(jù)蘋(píng)果公司公布的200大供應(yīng)商看中國(guó)勢(shì)力的發(fā)展趨勢(shì)。
我們還是來(lái)看一下,和2017年的蘋(píng)果全球200大供應(yīng)商相比,發(fā)生了哪些變化,在全球電子產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)值體系中,中國(guó)公司在一步一個(gè)腳印的上升。
2018-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IT蘋(píng)果公司 8253 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
在PN結(jié)施加反向電壓,耗盡層會(huì)逐漸變寬,通過(guò)改變耗盡層寬度來(lái)對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。
2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8226 0
電源是各種電子設(shè)備必不可缺的組成部分,其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài),功耗小,...
如何為電源設(shè)計(jì)選擇合適的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚模塊
在過(guò)去二十年中,隨著功率半導(dǎo)體,轉(zhuǎn)換器架構(gòu),磁性元件和封裝技術(shù)的進(jìn)步,曾經(jīng)只能從大尺寸隔離模塊中獲得的功率水平向下遷移,同時(shí)轉(zhuǎn)換效率也隨之提高。結(jié)果是系...
2019-01-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 8220 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場(chǎng)效應(yīng)...
壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件。利用壓敏電阻的非線性特性,當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間,壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路...
簡(jiǎn)要介紹MOSFET和IGBT基礎(chǔ)知識(shí)
盡管柵極上需要打開(kāi)的驅(qū)動(dòng)電流依不同器件會(huì)不太相同,但一般為所述器件額定電流的大約10%。如圖4所示,滿足所需的導(dǎo)通速度驅(qū)動(dòng)該電流(源)快速到達(dá)柵極電容,...
2019-08-28 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體數(shù)字信號(hào) 8177 0
光模塊生產(chǎn)工藝的核心環(huán)節(jié)介紹
5G通信、人工智能、元宇宙等新技術(shù)的涌現(xiàn)使得光通信行業(yè)快速發(fā)展。光模塊作為光通信設(shè)備中完成光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,與服務(wù)器暴增的算力和數(shù)據(jù)交互直接配套。因此...
5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái):使用工藝和電路仿真來(lái)預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高...
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