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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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在新能源汽車市場快速發(fā)展的背景下,車載功率半導(dǎo)體需求量激增,其中,碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能...
導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶...
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新...
SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡化碳化硅部件評估過程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來滿足電動汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏取⒏咝?..
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?
英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè),其取得的一大顯著成就是,開發(fā)了用于集成功率模塊(IPM)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場...
冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制
在半導(dǎo)體記憶體中,例如一個(gè)1G的DRAM,代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。
將基于模型設(shè)計(jì)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的研發(fā)
1965 年,英特爾(Intel)聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出一個(gè)預(yù)測:集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番,而成本則保...
2024-09-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制系統(tǒng)模型 617 0
由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模,從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。
在由內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器供電的電路模塊中,流過較大的峰值電流(如直通電流)時(shí),可能會發(fā)生啟動故障。
這視情況而定。目前的器件能夠很好地處理過沖和下沖;然而,為了獲得高于Vcc的恒定電壓,器件在結(jié)構(gòu)上必須能夠處理高于Vcc的電壓。
2023-04-17 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 612 0
壓力傳感器檢測物理壓力并將其轉(zhuǎn)換為電信號,然后以數(shù)字形式顯示壓力值。紙基電子器件由于其天然的生物降解性、優(yōu)異的柔韌性、多孔纖維結(jié)構(gòu)、重量輕以及成本低等優(yōu)...
/引言/對于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。...
基于AC驅(qū)動的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術(shù)會導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS...
一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識
先來了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識,看完傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝對比后再來了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對比 ? ? ? ? ? ...
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