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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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以NPN型三極管為例來(lái)說(shuō)說(shuō)它的工作原理
平常我們用電子電路的目的是最終讓目標(biāo)器件工作,例如讓發(fā)光二極管亮起來(lái),讓電機(jī)正常轉(zhuǎn)起來(lái),從根本上說(shuō)就是讓這些器件獲得一定的電流讓它做功。例如要讓發(fā)光二極...
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起,充電器的功率密度不斷提升,氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入,使得PD快充可以做更小體積,縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外,由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫,因而成為...
2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2112 0
對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
寬禁帶半導(dǎo)體如何改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)?
幾十年來(lái),以MOSFET和IGBT為代表的硅技術(shù)一直是功率逆變器的主要開(kāi)關(guān)解決方案。這兩種器件自問(wèn)世以來(lái)就一直在通過(guò)改進(jìn)設(shè)計(jì)來(lái)降低轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)損耗,以...
需要注意的是,無(wú)論N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體還是二極管,均為電中性,原因很簡(jiǎn)單,在生產(chǎn)過(guò)程中加入的所有元素均為電中性,產(chǎn)物自然不會(huì)帶電。
半導(dǎo)體,通常指硅基的半導(dǎo)體材料,這類(lèi)材料可以通過(guò)摻雜產(chǎn)生富電子及富空穴的區(qū)域(自行修讀半導(dǎo)體物理),而在外部電場(chǎng)的影響下,能使材料表現(xiàn)出導(dǎo)通電流和非導(dǎo)通...
寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大,對(duì)應(yīng)電子躍遷...
2023-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaAs寬禁帶半導(dǎo)體 9660 0
最近,GaN一直是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù),提供了數(shù)以萬(wàn)計(jì)的放大器供現(xiàn)場(chǎng)使用。該技術(shù)現(xiàn)在也部署在機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域,正在開(kāi)發(fā)的放大器能夠在射頻...
早期,由于鍺晶體較易獲得,主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,由于硅管生產(chǎn)工藝很高效,鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展,三極管種類(lèi)繁多,形貌各異。
LED是一種半導(dǎo)體,通電即會(huì)發(fā)光。憑借其高效率、長(zhǎng)壽命和其他突出的特點(diǎn),成為L(zhǎng)CD液晶顯示模組的核心材料,為L(zhǎng)CD的背光模組提供足夠的光源;其應(yīng)用場(chǎng)景如...
由于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步,如今集成電路(IC)出現(xiàn)在包括醫(yī)療設(shè)備在內(nèi)的各種設(shè)備中。醫(yī)療應(yīng)用面臨的一個(gè)特殊挑戰(zhàn)是需要保持產(chǎn)品無(wú)菌,不受真菌、細(xì)菌、病毒和...
當(dāng)今的醫(yī)療器械及其支持設(shè)備通常包含一次性消耗性傳感器、電纜、探頭和/或其他外圍設(shè)備,以確保在與患者接觸之前無(wú)菌。在許多情況下,這些耗材可以直接受益于添加...
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...
2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3291 0
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。...
InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的表面處理研究
InAs/GaSb Ⅱ類(lèi)超晶格近年來(lái)得到迅速的發(fā)展,是最有前景的紅外光電探測(cè)材料之一。隨著探測(cè)器像元中心距不斷減小,對(duì)于臺(tái)面結(jié)器件,其側(cè)壁漏電將占據(jù)主導(dǎo)...
一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)簡(jiǎn)單描述。
2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5099 0
設(shè)計(jì)人員不會(huì)因?yàn)橄胍鵀槠湎到y(tǒng)添加電流隔離,而是因?yàn)樗麄冃枰獫M(mǎn)足國(guó)內(nèi)或國(guó)際安全法規(guī)。缺點(diǎn)是隔離直接放置在數(shù)據(jù)路徑中,從而引入延遲并降低系統(tǒng)性能。增加隔離...
高功率半導(dǎo)體激光器過(guò)渡熱沉封裝技術(shù)研究
摘要:近些年,在市場(chǎng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來(lái)越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對(duì)半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...
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