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標簽 > 半導體材料
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
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在上周的推文中,我們回顧了半導體材料發展的前兩個階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
作為“二十世紀最重要的新四大發明”之一,半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天,從人工智能到生物醫學,半導體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
在了解雙向晶閘管的工作原理之前,需要先了解一下普通的晶閘管的工作原理。晶閘管是一種半導體器件,它是由四層PNPN型的晶體管結構組成,晶體管結構中有兩個P...
在ebased6e7b68dec56a74322a889d8bae7e的工作中,穩壓管的一個重要特性是它的電流和電壓之間的變化。這種變化給穩壓管帶來了一...
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料,具有優異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
在電路中,二極管(diode)是一種最簡單的電子元件之一,它通常由半導體材料制成。二極管具有兩個電極,一個是陽極(anode),另一個是陰極(catho...
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性,被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特...
中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質結在功率器件領域的研究進展
該綜述總結了NiO/β-Ga2O3異質結在功率器件領域的發展現狀,為之后設計高性能的NiO/β-Ga2O3異質結器件提供了參考,對β-Ga2O3雙極型器...
自1990年代末至2000年代初以來,有機半導體材料的研究引起了相關領域的高度關注,大大提高了實驗室環境中有機半導體器件的制造水平。目前,有機半導體器件...
鈣鈦礦由于具有高光學增益、平衡的載流子遷移率以及可溶液加工等特性,成為一種具有前景光明的激光增益半導體材料。目前,基于鈣鈦礦材料已成功研制出具有高相干性...
BeO為纖鋅礦型結構,單胞為立方晶系。其熱傳導能力極高,BeO質量分數為99%的BeO陶瓷,室溫下其熱導率(熱導系數)可達310W/(m·K),為同等純...
不是線性的,加上正向電壓時,P區的空穴與N區的電子在正向電壓所建立的電場下相互吸引產生復合現象,導致阻擋層變薄,正向電流隨電壓的增長按指數規律增長,宏觀...
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