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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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霍爾效應(yīng)是一種電磁現(xiàn)象,當(dāng)導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料置于垂直于電流方向的磁場中時,會在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生電壓差,這個電壓差稱為霍爾電壓。 一、霍爾效應(yīng)的...
2024-10-15 標(biāo)簽:磁場半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng) 3709 0
碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測器 3688 0
Vivo是一家知名的中國智能手機(jī)制造商,其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別,內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
2024-01-10 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 3634 0
是的,光敏電阻的阻值會隨著光照強(qiáng)度的增強(qiáng)而減小 。 光敏電阻是一種特殊的電阻器,通常由半導(dǎo)體材料(如硫化鎘、硒化鎘或硅等)制成。它的工作原理基于半導(dǎo)體的...
2024-10-12 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體材料光電效應(yīng) 3622 0
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 3595 0
熱敏電阻是一種利用電阻隨溫度變化的特性來測量溫度的傳感器。它們廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中,用于溫度監(jiān)測、控制和補(bǔ)償。熱敏電阻主要有三種類型:負(fù)溫度系...
PTC(Positive Temperature Coefficient)熱敏電阻和NTC(Negative Temperature Coefficie...
半導(dǎo)體材料的發(fā)展史是一段漫長而輝煌的歷程,它深刻地影響了現(xiàn)代信息社會的發(fā)展軌跡。從最初的發(fā)現(xiàn)到如今的廣泛應(yīng)用,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變,每...
2024-08-15 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體材料 3558 0
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3553 0
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...
2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 3434 0
量子點的發(fā)光原理主要與電子和空穴的相互作用以及它們與周圍環(huán)境的相互作用有關(guān)。當(dāng)量子點受到外來能量(例如光子)的激發(fā)時,電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,然后在導(dǎo)帶上...
2023-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光譜量子點 3419 0
光敏電阻是一種特殊的電阻元件,其電阻值會隨著光照強(qiáng)度的變化而變化。 一、光敏電阻的工作原理 光敏電阻是一種半導(dǎo)體材料制成的電阻元件,其電阻值會隨著光照強(qiáng)...
2024-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)光敏電阻 3414 0
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...
2023-02-13 標(biāo)簽:激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3405 0
自然界的萬物都有各自獨特的特性,我們?nèi)祟惸茏龅囊仓皇翘剿鬟@些物體的特性,并利用它為自己服務(wù)。在我們電子領(lǐng)域,根據(jù)物體的導(dǎo)電特性,通常可以分為:導(dǎo)體,絕緣...
N型和P型TOPCon(隧道氧化物鈍化接觸)是太陽能電池領(lǐng)域中兩種不同的技術(shù),它們在材料、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些差異。以下是對這兩種技術(shù)的介紹。 材料差...
2024-08-08 標(biāo)簽:太陽能電池晶硅半導(dǎo)體材料 3334 0
功率模塊納米銀燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點,非常適合 制作應(yīng)用于高頻、...
2023-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料SiC 3318 0
二極管的正向壓降是指在二極管導(dǎo)通時,其兩端的電壓差。這個參數(shù)對于設(shè)計和維護(hù)電子電路至關(guān)重要。如果二極管的正向壓降過高,可能會導(dǎo)致電路效率降低,甚至燒毀其...
2024-07-30 標(biāo)簽:二極管參數(shù)半導(dǎo)體材料 3234 0
固態(tài)照明(SSL)技術(shù)由于其在節(jié)能和減少環(huán)境污染方面的優(yōu)勢,正逐漸取代傳統(tǒng)的照明光源。因此,開發(fā)可應(yīng)用在SSL設(shè)備的高性能發(fā)光材料成為近十年來的一個非常...
2020-01-28 標(biāo)簽:固態(tài)照明半導(dǎo)體材料有機(jī)發(fā)光二極管 3220 0
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 3209 0
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