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標簽 > 半導體材料
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
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硅料是光伏發電系統的核心原材料。 光伏硅料,即太陽能級多晶硅(SoG-Si),是光伏產業鏈中最上游的原材料,為帶有金屬光澤的灰黑色固體,具有熔點高(14...
晶粒(die)是以半導體材料制作而成未經封裝的一小塊集成電路本體,該集成電路的既定功能就是在這一小片半導體上實現。通常情況下,集成電路是以大批方式,經光...
在某些半導體材料的PN結中,注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓,少數載流子難...
二維磁性半導體是一種兼具鐵磁性和半導體性的材料,有望將信息存儲和邏輯運算機集成為一個單元,是下一代低能耗集成電路、自旋電子學與部分自旋量子器件的基礎。
氮化鎵是一種半導體材料,具有良好的電子特性,可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件,如晶體管、集成電路和光電器件。
砷化鎵是一種重要的半導體材料,它具有優異的電子特性,廣泛應用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩定性和高熱導率...
碳化硅是一種半導體材料,它具有優異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩定性和高電阻率等特性。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常...
碳化硅材料以其優異的性能被行業列為第三代半導體材料,其擊穿場強是硅的10倍,熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環境...
進入90年代以后,第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現,使得有線通訊技術迅速發展。隨后在本世紀初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對傳統硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...
碳化硅屬于第三代半導體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點,可應用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環境,可廣泛應用于風電、鐵路等大型交通...
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關,更高的熱導率和更低的導通電阻,氮化鎵基功率器件...
碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
運行在很高頻率下的電子器件所表現的性能主要與:1)組成半導體的材料特性和2)器件的結構有關[3]。Si,GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300G...
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