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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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穩(wěn)壓二極管是一種到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,用于穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的,主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。 ?...
2021-08-18 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管電壓半導(dǎo)體器件 1.7萬(wàn) 0
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport
這家威爾士半導(dǎo)體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導(dǎo)體等車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)
2021-07-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件Nexperia 774 0
相城區(qū)委書記、區(qū)長(zhǎng)季晶表示:“蘇州光鉅半導(dǎo)體器件有限公司在研發(fā)方面的大力投入令人欽佩,此次簽約落戶的項(xiàng)目,符合相城區(qū)加快5G商用發(fā)展的定位和戰(zhàn)略需求,產(chǎn)...
2021-06-09 標(biāo)簽:濾波器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體器件 2361 0
關(guān)于第六代碳化硅二極管你不知道的細(xì)節(jié)!
市場(chǎng)研究單位Yole Développement指出,碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有高度潛力,預(yù)計(jì)到2023年碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)14億美...
2021-05-27 標(biāo)簽:高電壓半導(dǎo)體器件 5249 0
Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率
Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關(guān)速度,既能減少整流器的開關(guān)損耗,又減少了同一換向單元中MOSFET產(chǎn)生的損耗(此種配置通常用于異步開關(guān)模式功率...
2021-05-10 標(biāo)簽:MOSFET肖特基整流器半導(dǎo)體器件 1335 0
MOSFET的簡(jiǎn)述及工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析
MOSFET是具有源極(Source),柵極(Gate),漏極(Drain)和主體(Body)端子的四端子設(shè)備。通常,MOSFET的主體與源極端子連接,...
電子自旋器件是將自旋屬性引入半導(dǎo)體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研制成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結(jié)和...
2021-04-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器電子器件半導(dǎo)體器件 7394 0
公司針對(duì)不同需求有高性價(jià)比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
2021-03-31 標(biāo)簽:LED驅(qū)動(dòng)肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1387 0
國(guó)產(chǎn)電推進(jìn)系統(tǒng)的發(fā)展歷程
那么,電推進(jìn)系統(tǒng)的基本原理是什么,目前中國(guó)的電推進(jìn)技術(shù)發(fā)展處于怎樣的階段?相比于傳統(tǒng)的化學(xué)推進(jìn),電推進(jìn)有何長(zhǎng)處?稀有氣體與半導(dǎo)體器件在整個(gè)電推進(jìn)系統(tǒng)中分...
2021-03-30 標(biāo)簽:太陽(yáng)能半導(dǎo)體器件推進(jìn)器 4523 0
總投資25億元的捷捷微電高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開工
捷捷微電專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件和電力電子元器件的研發(fā)、制造和銷售。現(xiàn)為江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)先進(jìn)會(huì)員單位,是國(guó)內(nèi)電力半導(dǎo)體器件...
2021-03-29 標(biāo)簽:芯片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 5011 0
關(guān)于IGBT芯片的簡(jiǎn)介與發(fā)展方向及應(yīng)用領(lǐng)域
芯片的種類五花八門,今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
2021-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件igbt芯片 1.9萬(wàn) 0
IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
2021-03-05 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.2萬(wàn) 0
DO-254為機(jī)載電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)保證定義了5個(gè)等級(jí)
DO-254主體中的指南(章節(jié)1到11)是為電子硬件設(shè)計(jì)保證等級(jí)C所寫的。DO-254通過(guò)附錄B提供更高的設(shè)計(jì)保證等級(jí)(A和B),包括附加的驗(yàn)證相關(guān)的活...
2021-03-04 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)半導(dǎo)體器件DO-254 6311 0
Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求
通過(guò)新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 2770 0
SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加入SEMI,成為策略合作伙伴
SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命,加速SOI行業(yè)的發(fā)展,并為成員帶來(lái)新的商機(jī)。
2021-01-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件醫(yī)療技術(shù) 2117 0
溫度變化對(duì)半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對(duì)溫度的變化很敏感,當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響...
2021-01-07 標(biāo)簽:熱敏電阻電壓半導(dǎo)體器件 3430 0
找出三極管的基極后,我們就可以根據(jù)基極與另外兩個(gè)電極之間pn結(jié)的方向來(lái)確定管子的導(dǎo)電類型。將萬(wàn)用表的黑表筆接觸基極,紅表筆接觸另外兩個(gè)電極中的任一電極...
2021-01-07 標(biāo)簽:三極管管腳半導(dǎo)體器件 8344 0
旭宇光電擬沖刺A股IPO,華安證券擔(dān)任其輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)
旭宇光電成立于2011年,專業(yè)從事全波段(255nm-1600nm)半導(dǎo)體器件封裝研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)。其LED產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家居照明、商業(yè)照明、工業(yè)...
2021-01-05 標(biāo)簽:ledipo半導(dǎo)體器件 2193 0
用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng),提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
2020-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
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