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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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說(shuō)起“Diamond”給人第一印象是什么? 無(wú)疑是高貴優(yōu)雅,晶瑩剔透,尤其對(duì)于女性來(lái)說(shuō)鉆石是充滿(mǎn)誘惑的,正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...
2023-02-02 標(biāo)簽:金剛石半導(dǎo)體器件寬禁帶 1097 0
靜電保護(hù)二極管(Electrostatic Discharge, ESD)是一種特殊的半導(dǎo)體器件,主要用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電(ESD)的損害。ES...
3D亞納米時(shí)代,CMOS邏輯電路如何發(fā)展?
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過(guò)程(BEOL)中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線(xiàn)下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...
紅外線(xiàn)介于可見(jiàn)光和微波之間,波長(zhǎng)范圍0.76~1000μm。凡是高于絕對(duì)零度(0 K,即-273.15℃)的物質(zhì)都可以產(chǎn)生紅外線(xiàn),也叫黑體輻射。由于紅外...
在TAB和FCB中也存在WB中的部分失效問(wèn)題,同時(shí)也有它們自身的特殊問(wèn)題,如由于芯片凸點(diǎn)的高度-致性差,群焊時(shí)凸點(diǎn)形變不一-致,從面造成各焊點(diǎn)的 鍵合...
2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IC芯片 1054 0
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
2023-11-23 標(biāo)簽:柵極電阻半導(dǎo)體器件功率逆變器 1045 0
有源電路元件是電子電路中不可或缺的組成部分,它們?cè)陔娐分衅鹬糯蟆⒄袷帯⒖刂频汝P(guān)鍵作用。以下是一些常見(jiàn)的有源電路元件: 晶體管 :一種半導(dǎo)體器件,具有放...
2024-09-30 標(biāo)簽:晶體管電子電路半導(dǎo)體器件 1042 0
開(kāi)關(guān)二極管與TVS二極管的不同點(diǎn)有哪些?
二極管作為電子電路中重要的半導(dǎo)體器件,種類(lèi)繁多,每種二極管都有其特定的功能和應(yīng)用。開(kāi)關(guān)二極管和TVS二極管是其中兩種常見(jiàn)的類(lèi)型。工作原理開(kāi)關(guān)二極管開(kāi)關(guān)二...
2024-06-25 標(biāo)簽:TVS開(kāi)關(guān)二極管半導(dǎo)體器件 1041 0
TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序等負(fù)載開(kāi)關(guān)封裝技術(shù)
從智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的...
2022-04-27 標(biāo)簽:ti封裝半導(dǎo)體器件 1038 0
晶閘管電路中采用什么的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)
晶閘管(Thyristor)是一種四層三端半導(dǎo)體器件,也稱(chēng)為硅控整流器(SCR)。它具有單向?qū)щ娦裕S糜诮涣麟娐分械恼鳌⒄{(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。由于...
2024-09-30 標(biāo)簽:電路晶閘管過(guò)流保護(hù) 1037 0
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2023-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 1036 0
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢(shì)
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...
2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 1036 0
FPGA現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列的綜合指南
現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 是可以在制造后進(jìn)行編程和重新編程以實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能的半導(dǎo)體器件。
2023-12-07 標(biāo)簽:fpga半導(dǎo)體器件現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 1021 0
雙極型晶體管(BJT)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由三個(gè)主要部分組成:發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collecto...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管電子電路半導(dǎo)體器件 1016 0
2024-08-14 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 1006 0
面接觸二極管是一種半導(dǎo)體器件,它具有單向?qū)щ娦裕瑥V泛應(yīng)用于各種電子電路中。 面接觸二極管的基本原理 面接觸二極管是一種利用半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性制成的器...
2024-09-24 標(biāo)簽:電路面接觸二極管半導(dǎo)體器件 1000 0
車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析
車(chē)規(guī)級(jí)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車(chē)中的核心功率半導(dǎo)體器件,其成本...
2024-07-22 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件汽車(chē)半導(dǎo)體 991 0
點(diǎn)接觸二極管是一種半導(dǎo)體器件,它在電子學(xué)和電力電子學(xué)中有著廣泛的應(yīng)用。這種二極管的特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其結(jié)構(gòu)、工作原理、電氣特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 點(diǎn)接觸二...
2024-09-24 標(biāo)簽:電壓PN結(jié)半導(dǎo)體器件 989 0
首先,晶體管是一種半導(dǎo)體器件,它的核心部件是PN結(jié)。PN結(jié)是一種正負(fù)半導(dǎo)體材料的結(jié)合,其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成一個(gè)電子和空穴流動(dòng)的界面。當(dāng)PN結(jié)被...
2023-02-22 標(biāo)簽:晶體管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 959 0
岡恩二極管是用于以簡(jiǎn)單和低成本的方式產(chǎn)生低功率微波信號(hào)的半導(dǎo)體器件。這些已經(jīng)使用了60多年。岡恩二極管可以在從幾千兆赫茲到超過(guò) 100 GHz 的頻...
2023-03-08 標(biāo)簽:二極管整流二極管半導(dǎo)體器件 955 0
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