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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇正確類型的功率MOSFET
MOSFET是電壓控制型器件,三極管是電流控制型器件,這里說的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟功率三極管(GTR)來做比較的:優(yōu)點(diǎn)—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)方便等;...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三...
功率MOSFET是一種功率型半導(dǎo)體元件,它可以控制大電流的流動(dòng),從而控制電路的功能。
2023-02-16 標(biāo)簽:控制電路功率MOSFET半導(dǎo)體元件 1705 0
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電...
功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí),專用IC用于控制MOSFET的開啟和關(guān)閉,以管理電池的充放電,如圖1所示。在消費(fèi)類電子系...
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測(cè)試條件(...
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路與EMI
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來驅(qū)動(dòng),為了提高關(guān)斷的速度,實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率,在很多ACDC電源、手...
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng),因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的,因此只需...
TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中,通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動(dòng)的過程中,如系統(tǒng)動(dòng)態(tài)老化Burn In測(cè)試、輸入打火測(cè)試...
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能...
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè) 1296 0
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極...
非連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值的計(jì)算
有源功率因數(shù)校正PFC電路,在非連續(xù)導(dǎo)通模式DCM工作時(shí),輸入電感的電流波形如圖1所示。可以看到,在每個(gè)開關(guān)周期結(jié)束的時(shí)候,輸入電感的電流降到0,這樣,...
ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能,引領(lǐng)能效革命
隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加,電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個(gè)變革的時(shí)代,ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...
超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)特性有什么影響
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...
2023-02-16 標(biāo)簽:柵極功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1180 0
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...
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