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標(biāo)簽 > 功率芯片
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鴻海富士康集團(tuán)進(jìn)軍半導(dǎo)體市場企圖心明顯,鴻海集團(tuán)總裁郭臺銘也證實(shí),半導(dǎo)體一定要自己做,除了在珠海的半導(dǎo)體投資案之外,最新的投資案又曝光,將計(jì)劃在濟(jì)南市設(shè)...
重慶郵電大學(xué)研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片成功 已進(jìn)入試用階段
原標(biāo)題:重慶郵電大學(xué):研發(fā)重郵芯 助推重慶集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 來源:重慶日報(bào) DMB是一種數(shù)據(jù)傳播技術(shù),可廣泛應(yīng)用于無線多媒體信息傳播。在這一領(lǐng)域,重慶郵...
協(xié)昌科技沖刺創(chuàng)業(yè)板 自研自用成亮點(diǎn)
英唐智控意在戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,和而泰意在5G芯片領(lǐng)域分得一杯羹,兩者都已經(jīng)在主板上市;而協(xié)昌科技在構(gòu)建“上游功率芯片+下游運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品”協(xié)同發(fā)展的業(yè)務(wù)體系,業(yè)務(wù)...
芯片作為現(xiàn)代智能化時(shí)代的基礎(chǔ),對于國家的科技水平以及未來的發(fā)展是至關(guān)重要的,現(xiàn)在的手機(jī)、電腦、智能電器等產(chǎn)品都要使用芯片,而國產(chǎn)芯片也越來越普遍化,種類...
嘉興斯達(dá)微電子20億投資項(xiàng)目即將投用,新增建筑面積20.6萬平米
該項(xiàng)目坐落于嘉興南湖區(qū),投資總額達(dá)到20億元人民幣,占地總面積279畝,擬新建建筑20.6萬平方米,包括生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓以及危險(xiǎn)化學(xué)品儲藏室等設(shè)施,同時(shí)...
泰科天潤項(xiàng)目:力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)
據(jù)長沙晚報(bào)報(bào)道,位于湖南瀏陽經(jīng)開區(qū)(高新區(qū))的泰科天潤項(xiàng)目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)。 據(jù)報(bào)道,如今90%的生產(chǎn)設(shè)備已到位,大部分設(shè)備處于...
12月11日,在順德舉行的家電科技學(xué)術(shù)年會上,中國科學(xué)院微電子研究所主任王云說,國內(nèi)家電行業(yè)芯片市場約500億元,本土化配套率僅5%。中國家電業(yè)亟需補(bǔ)上...
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
Sic功率芯片制造工藝技術(shù)知識與專家報(bào)告分享
Sic功率芯片:即碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)芯片,是一種基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片。SiC芯片具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電...
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺NV6169功率芯片
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169...
2022-05-11 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2413 0
納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(“納微”)的股票,正式開始在納斯達(dá)克全球市場交易,股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2409 0
深入分析國產(chǎn)車規(guī)級芯片的產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
根據(jù)功能劃分,車規(guī)級芯片主要分為四類:計(jì)算及控制芯片、功率芯片、傳感器芯片及其他芯片。計(jì)算及控制芯片以微控制器和邏輯 IC 為主,主要用于計(jì)算分析及決策。
小米納微三度攜手,小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布!
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器,采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝,并且采用...
納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,GaNSense新技術(shù)登場
增加GaNSense?技術(shù),全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù),為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最高效率和可靠性。
功率芯片焊盤上放多少個(gè)散熱過孔才算是最優(yōu)?計(jì)算告訴你答案-電路設(shè)計(jì)知識點(diǎn)
Part 01 前言 PCB常規(guī)的FR4材料的熱導(dǎo)率較低(通常約為 0.3~0.4 W/m·K),這使得它在大功率電路應(yīng)用中不利于功率芯片熱量的快速散發(fā)...
2024-12-12 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)焊盤過孔 2170 0
美的集團(tuán)旗下美仁芯片開始量產(chǎn) 中科昊芯榮獲卓越表現(xiàn)企業(yè)大獎(jiǎng)
美仁芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)平均擁有十五年以上的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn),其創(chuàng)始人工作履歷足夠華麗,既擁有世界著名學(xué)府的教育經(jīng)歷,同時(shí)在世界頂級半導(dǎo)體公司服役了相當(dāng)長時(shí)間。美...
2025年3月17日,比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅(SiC)功率芯片 。這項(xiàng)技術(shù)突破被強(qiáng)調(diào)...
納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...
納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管...
碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬片!
業(yè)內(nèi)周知,功率SiC IDM 仍是其主流商業(yè)模式,而6英寸是龍頭廠商的主流SiC晶圓尺寸。在供不用求的刺激下,行業(yè)內(nèi)已有多家公司基于這一成熟平臺有多種產(chǎn)...
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