標簽 > 功率場效應管
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功率場效應管一般指功率MOS場效應晶體管,功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
用于 Zigbee 技術(shù)應用/Threa 低功耗、低功耗前端模塊,適用于藍牙?信號 低功耗、低功耗前端模塊,適用于藍牙?范圍 2.4 GHz ZigBee?/智能能源 902 至 931 MHz 高功率射頻前 1787 至 1930 MHz 高功率射 902 至 928 MHz 高功率射頻前 GNSS 低噪聲放大器前端模塊,帶有 G 用于四頻 GSM / GPRS / ED 適用于 WCDMA / LTE 頻段 2 低噪聲放大器前端模塊,帶有 GPS/GN 低噪聲放大器前端模塊,帶有BDS/GPS
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