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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
射頻功率電路的熱管理本質上包括從電路的元件和敏感區域去除多余的熱量,以保證在所有操作條件下的最佳性能并避免電路退化或故障。
(文/程文智)根據乘聯會的統計,6月份新能源汽車零售量53.2萬輛,同比增長187%,滲透率達到了27.4%,預計2022年中國新能源汽車出貨量可達58...
2022-07-28 標簽:功率器件 3345 0
據市場反饋,應用于高壓的超結MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據富昌電子202...
直接導線鍵合結構最大的特點就是利用焊料,將銅導線與芯片表面直接連接在一起,相對引線鍵合技術,該技術使用的銅導線可有效降低寄生電感,同時由于銅導線與芯片表...
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動態損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實現高功率密度的一種方法。
我們知道,GaN在充電器等應用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關器件在開關頻率、開關損耗、導通損耗等相比硅MOSFET有明顯優...
隨著新能源市場的爆發,電動汽車、光伏、儲能等下游應用驅動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規模應用后,在近幾...
2022-07-25 標簽:功率器件SiC MOSFET 1651 0
整個電力電子行業,包括射頻應用和涉及高速信號的系統,都在朝著在越來越小的空間內提供越來越復雜的功能的解決方案發展。設計人員在滿足系統尺寸、重量和功率要求...
有線電視提供商在升級網絡時要把握好分寸。他們需要在不降低性能和可靠性的情況下,滿足客戶對容量的需求。很多提供商借助 GaN 技術來保持平衡,原因如下。
GaN中游我們可以將其分為器件設 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導體的一類,與SiC類似,全球產能普遍集中在IDM廠商上,不過相比于Si...
PMST功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數,電壓可高達3KV,電流可高達...
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