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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個 瀏覽：92522次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      功率ic和功率半導(dǎo)體有什么區(qū)別

      功率IC通常是一種高度集成的器件，可以實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換和控制的多種功能，如DC/DC變換器、AC/DC變換器、照明驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動等。功率IC通常包括功率開關(guān)...

      2023-02-18 標(biāo)簽：IC功率器件功率IC 3943 0

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

      SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

      2024-04-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 3936 0

      AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

      AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

      2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3895 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告

      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

      2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 3886 0

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動，相電流監(jiān)測1

      SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動，相電流監(jiān)測1

      開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT，MOS并不是理想開關(guān)器件，其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的，如果兩端有電壓，將導(dǎo)致直流電源短路，損壞橋臂...

      2023-04-24 標(biāo)簽：元器件IGBTMOS 3878 0

      氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

      氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

      2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3865 0

      功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專用MOSFET提高效率

      功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專用MOSFET提高效率

      　　金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達(dá)到更高效能，首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù)，以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...

      2013-02-22 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 3843 0

      關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹

      固態(tài)RF功率器件可以實現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊，它可快速的集...

      2018-06-28 標(biāo)簽：nxprf功率器件 3814 0

      基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

      基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

      基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

      2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 3799 0

      解析電動車控制器損壞的常見原因

      控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問題；電動機(jī)無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...

      2024-03-11 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器MOS管 3798 0

      關(guān)于開關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點(diǎn)的十大闡述

      開關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時刻關(guān)注的問題，不然一不留神就會跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項開關(guān)電源技術(shù)發(fā)...

      2013-05-27 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源功率器件 3797 1

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項

      MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍設(shè)計一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢

      2023-11-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 3786 0

      老式的功率器件要求具有最小的負(fù)載以保證穩(wěn)定性

      老式的功率器件要求具有最小的負(fù)載以保證穩(wěn)定性

      用戶如果使用具有省電模式 (PSM) 的開關(guān)穩(wěn)壓器，則往往會擔(dān)心穩(wěn)壓器在輕負(fù)載時的工作情況，因為 PSM 會減少工作頻率、跳脈、提供脈沖群或出現(xiàn)這些情況...

      2018-05-21 標(biāo)簽：負(fù)載電流功率器件 3747 0

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些？

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些？

      功率器件有源區(qū)含有PN結(jié)，施加反向耐壓時，靠PN結(jié)承壓。實際平面工藝中，在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進(jìn)行雜質(zhì)注入推結(jié)，制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...

      2023-08-08 標(biāo)簽：芯片設(shè)計IGBT功率器件 3745 0

      IGBT的使用與保護(hù)

      目前IGBT 的電流/電壓等級已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大...

      2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT功率器件 3728 0

      GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計

      近年來，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時代的到來，對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電...

      2022-07-11 標(biāo)簽：集成電路功率器件GaN 3711 0

      電驅(qū)動系統(tǒng)集成包括哪些

      電驅(qū)動系統(tǒng)集成包括哪些

      ? ? ? ? ? 高集成度：從零部件到多合一，向集成化一體化整合 新能源汽車在輕量化、降成本和優(yōu)化空間布局等性能指標(biāo)要求越來越高，電驅(qū)系統(tǒng)集成化產(chǎn)品成...

      2023-05-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件電驅(qū)動 3669 0

      碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...

      2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3657 0

      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      什么是宇宙射線？宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

      眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個無法預(yù)知的因素，可...

      2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT功率器件 3569 0

      什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

      碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3558 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
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        OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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