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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

  變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其...

2016-06-02 標(biāo)簽:變頻器逆變器功率器件 6625 0

IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...

2023-03-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管參數(shù) 6580 0

激光雷達(dá)系統(tǒng)正在進(jìn)入各種其他應(yīng)用領(lǐng)域

隨著激光雷達(dá)的發(fā)展,相關(guān)市場(chǎng)也會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。據(jù)Yole Développement預(yù)測(cè),氮化鎵功率器件的市場(chǎng)將在未來(lái)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)79%的年復(fù)合增長(zhǎng)率,并在2...

2018-09-21 標(biāo)簽:功率器件激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 6424 0

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體肖特基二極管 6288 0

淺談電路器件功率的計(jì)算問題

淺談電路器件功率的計(jì)算問題

適宜學(xué)習(xí)人群: 1、對(duì)電路設(shè)計(jì)感興趣的同學(xué)(含電子信息類的大學(xué)生,工程研發(fā)技術(shù)人員,電子愛好者等); 2、只會(huì)設(shè)計(jì)電路但對(duì)原理卻感覺模糊的同...

2019-05-17 標(biāo)簽:功率器件橋式電路 6226 0

器件環(huán)境溫度與負(fù)荷特性曲線很容易被忽視的問題

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另外,在電路設(shè)計(jì)中,器件的功率、電壓等參數(shù)都會(huì)降額,具體降額方法本人博客中已有其他文章專門介紹。這里補(bǔ)充說(shuō)的是降額之后的負(fù)荷特性曲線也要隨之發(fā)生變化(如...

2018-07-31 標(biāo)簽:電容功率器件 6166 0

液相法、3C-SiC!中科院又取得新成果

液相法、3C-SiC!中科院又取得新成果

該團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備,其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的:首先,在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉;然后在對(duì)流作用下,將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 6107 0

RX62T微控制器和功率器件相結(jié)合的電機(jī)控制解決方案

RX62T微控制器和功率器件相結(jié)合的電機(jī)控制解決方案

RX62T 組中的 32 位微型計(jì)算機(jī)具有增強(qiáng)的電機(jī)控制功能,可簡(jiǎn)化無(wú)傳感器矢量控制應(yīng)用。

2021-06-22 標(biāo)簽:微控制器逆變器功率器件 5929 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

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當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后,芯片最終會(huì)損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 5922 0

mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...

2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5907 0

I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法

I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法

雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間...

2024-01-18 標(biāo)簽:電壓功率器件三電平 5904 2

關(guān)于功率器件中的散熱參考方案

設(shè)計(jì)功率器件中的散熱考慮

2018-06-23 標(biāo)簽:intersil功率器件 5892 0

功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)

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通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..

2023-11-30 標(biāo)簽:集成電路MOSFET功率器件 5885 0

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

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隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率器件 5851 0

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點(diǎn)加以說(shuō)明。

2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 5843 0

電源PCB布局注意事項(xiàng)總結(jié)

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電源作為系統(tǒng)應(yīng)用中給其他功能供電的模塊,有著十分重要的地位。在電源設(shè)計(jì)中,好的PCB設(shè)計(jì)能夠 優(yōu)化電源效率,緩解散熱壓力以及降低噪聲 ,保證電源的輸出準(zhǔn)...

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中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

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英飛凌無(wú)磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)介紹

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無(wú)磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動(dòng)技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),具有高共模瞬變抗擾度、精密時(shí)序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...

2022-04-18 標(biāo)簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動(dòng)芯片 5399 1

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件寄生電感 5352 0

如何使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓

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創(chuàng)建可以緩解密勒效應(yīng)寄生導(dǎo)通的柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器并不一定很復(fù)雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅(qū)動(dòng)器,借助很少的外部電路就可以輕松驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O負(fù)電壓。

2018-11-14 標(biāo)簽:功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 5351 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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