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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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微波功率放大器主要分為真空和固態兩種形式。基于真空器件的功率放大器,曾在軍事裝備的發展史上扮演過重要角色,而且由于其功率與效率的優勢,現在仍廣泛應用于雷...
鋁線鍵合是目前工業上應用最廣泛的一種芯片互連技術,鋁線鍵合技術工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據直徑的不同分為細錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
碳化硅產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、制造、封測等環節。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應用。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發熱功率密度變得更大,在熱導率和熱阻相同的情況下,會使得封裝體和裸芯的溫度更...
IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數以及熱導率存在很大的差異,...
散熱器通常用于吸收和散發來自電子功率器件(如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等)的過多熱量,以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。
從發展歷程來看,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統;20世紀60至70年代,晶閘管等半導體功率器件快速發展
相比于目前常見的寬禁帶半導體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質因數更大、預期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
高電壓會導致壓縮機、PTC和電機驅動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅動系統為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器...
高速熔斷器作為保護半導體的器件,通過其本體的電流可能是直流,也可能是交流,或者是脈沖電流,因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導市場份額,IDTechEx在報告中給出了各類器件的應用時間表。雖然經過驗證的SiC MOS...
2023-02-23 標簽:電動汽車功率器件SiC MOSFET 1658 0
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應管的導通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
我們知道功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,它利用半導體單向導電的特性,改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等功能。根據可控性和其他使...
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