日本設(shè)立共同研究室 加快新一代功率半導(dǎo)體氮化鎵功研發(fā)

據(jù)報(bào)道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率...

2016-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 920 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流

過(guò)去幾年來(lái)，碳化硅（SiC）型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴(lài)的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì)：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標(biāo)簽：igbtSiC功率半導(dǎo)體 2031 0

Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A，確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最...

2016-10-25 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體IGBT模塊MG12600WB 3172 0

2016功率半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸回暖,未來(lái)趨勢(shì)大好

根據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)的調(diào)查顯示，到2020年，功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到33009億元，相比2014年同期，增幅約接近4成。

2016-07-27 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 2174 0

砸30億美元！英飛凌科技重磅收編美國(guó)國(guó)際整流器

2015年1月13日，德國(guó)慕尼黑、美國(guó)加利福尼亞埃爾塞貢多 （El Segundo） 訊—— 英飛凌科技股份有限公司（法蘭克福證券交易所股票代碼：IFX...

2015-01-14 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體國(guó)際整流器 2215 0

英飛凌繼續(xù)穩(wěn)固功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍地位 首次引領(lǐng)MOSFET領(lǐng)域

2014年9月11日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌科技股份公司繼續(xù)穩(wěn)固其在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。

2014-09-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體英飛凌科技 961 0

至2021年汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模超410億美元

Strategy Analytics汽車(chē)電子服務(wù)（AES）發(fā)布最新研究報(bào)告《汽車(chē)電子半導(dǎo)體需求預(yù)測(cè)：2012-2021》預(yù)測(cè)，汽車(chē)行業(yè)關(guān)鍵的主題“更環(huán)保...

2014-06-11 標(biāo)簽：微控制器功率半導(dǎo)體 1236 0

IR推出全新μIPM-DIP功率模塊

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 （簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出高度集成的、纖巧的集成式功率模塊μIPM-DIP系列，適用于低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包...

2014-06-04 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體集成式功率模塊 2131 0

新一代功率半導(dǎo)體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱(chēng)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年，將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

2014-02-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1318 0

新一代功率半導(dǎo)體：多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...

2014-02-04 標(biāo)簽：晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1638 0

國(guó)家政策支持，中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 1913 0

新一代功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 913 0

鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用　飛兆強(qiáng)推SiC功率元件

　為改善過(guò)去采用硅（Si）材料開(kāi)發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷，飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）已改用碳化硅（SiC）材料量產(chǎn)雙極接面電...

2013-12-27 標(biāo)簽：飛兆SiC功率半導(dǎo)體 988 0

英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體供應(yīng)商榜首

　9月29日消息，據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道，全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告顯示，英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體分立器件...

2013-09-30 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體 854 0

功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共...

2013-07-09 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 3821 0

日立重組功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售一體化

日立制作所2013年6月11日宣布，將于10月1日把旗下的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)交給子公司——日立原町電子工業(yè)，構(gòu)建從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的一條龍?bào)w制。將通過(guò)公司...

2013-06-14 標(biāo)簽：日立功率半導(dǎo)體 1412 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)再度走低，2012比上年下降11.5%

　日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計(jì)算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5％。功率半導(dǎo)...

2013-05-21 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體 971 0

未來(lái)十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將以18%速度增長(zhǎng)

在未來(lái)十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有...

2013-04-26 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1741 0

研究機(jī)構(gòu)表明：2013年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)7%

根據(jù)市調(diào)公司IC Insights的最新報(bào)告，受到全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)力道疲弱的影響，2012年全球分離式功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)價(jià)值為123億美元，較去年同期下滑8%...

2013-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1354 0