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功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

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三菱電機(jī)將可持續(xù)發(fā)展定位為整體業(yè)務(wù)的基石,包括應(yīng)對(duì)氣候變化和現(xiàn)代社會(huì)面臨的其他緊迫問(wèn)題的舉措。這一對(duì)可持續(xù)發(fā)展的承諾體現(xiàn)在三菱電機(jī)集團(tuán)制定的《環(huán)境展望2...

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羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

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羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布,雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作,共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓SiC氮化鎵 944 0

熱烈慶祝瑞森半導(dǎo)體成立10周年

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過(guò)往十年,所創(chuàng)芯光, 皆是時(shí)光對(duì)奮斗者的嘉獎(jiǎng)。 再赴未來(lái),我們將心懷感恩、步履不息。 瑞森半導(dǎo)體,芯征程,芯未來(lái)。

2023-12-08 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 558 0

瑞森半導(dǎo)體:自主研發(fā)三大產(chǎn)品系列 瞄準(zhǔn)國(guó)產(chǎn)替代

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“口碑聲譽(yù)”首次納入關(guān)注重點(diǎn),11月半導(dǎo)體上市輔導(dǎo)企業(yè)降至4家

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?電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)今年2月,證監(jiān)會(huì)全面實(shí)行股票發(fā)行注冊(cè)制以來(lái),上市門(mén)檻有非常明顯的提高。包括對(duì)申報(bào)企業(yè)的研發(fā)費(fèi)用占比要求提高,以及對(duì)企業(yè)提出...

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可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理...

2023-12-07 標(biāo)簽:可控硅IGBT功率半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0

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英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)...

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半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖,明天營(yíng)收將激增13.1%

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2023 年更新后的市場(chǎng)估值預(yù)計(jì)為 5200 億美元,較上年下降 9.4%。WSTS 略微上調(diào)了其增長(zhǎng)預(yù)測(cè),并注意到某些終端市場(chǎng)的改善,反映出過(guò)去兩個(gè)季...

2023-12-05 標(biāo)簽:英特爾存儲(chǔ)器人工智能 875 0

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2023-12-04 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 1376 0

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此外,由于碳化硅逆變器體積較小,還可搭載成本更低的冷卻系統(tǒng),從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載 OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器已率先開(kāi)啟 Si...

2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 4510 0

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近期,無(wú)論是美國(guó)等西方國(guó)家的技術(shù)輸出限制,還是其它外來(lái)壓力,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均在政府的扶持下積極應(yīng)對(duì),逐步在非尖端技術(shù)半導(dǎo)體業(yè)坐穩(wěn)江山。據(jù)日本媒體專家分析...

2023-11-28 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 823 0

ROHM開(kāi)發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3

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全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)開(kāi)發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3,非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AG...

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功率半導(dǎo)體有多種類型,我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多。基本上,所有功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類:二極管、晶閘管和晶體管。

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1052 0

低溫?zé)o壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求

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2023-11-25 標(biāo)簽:汽車電子射頻芯片功率半導(dǎo)體 1373 0

智能化浪潮加速,汽車功率半導(dǎo)體需求暴漲

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隨著智能化浪潮加速,汽車行業(yè)有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)變革升級(jí),加速步入萬(wàn)物互聯(lián)+萬(wàn)物智聯(lián)的新時(shí)代。

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三菱電機(jī)與安世宣布將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。

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羅姆國(guó)富工廠將于明年生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓 目標(biāo)增長(zhǎng)35倍

11月上旬,羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓,預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始。

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiCGaN 1476 0

確定!東芝將于12月20日退市

東芝社長(zhǎng)兼CEO Taro Shimada主持了11月22日的的臨時(shí)股東大會(huì),他表示:“在穩(wěn)定的股東結(jié)構(gòu)下,我們將以技術(shù)為重點(diǎn)對(duì)公司進(jìn)行改革。”

2023-11-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車東芝功率半導(dǎo)體 1475 0

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國(guó)內(nèi)各家(英飛凌、安森美)車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級(jí),主要分為A0/A00級(jí)以下,A級(jí)車,還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?..

2023-11-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1633 0

散熱設(shè)計(jì)玩出新花樣,功率半導(dǎo)體器件再也不怕‘發(fā)燒’了!

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