RC-IGBT 技術(shù)帶來更多動力

多年來，市場對功率半導(dǎo)體的需求一直在增加，需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實現(xiàn)的，這與系...

2022-02-22 標(biāo)簽：電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 4139 0

淺談功率半導(dǎo)體的燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)

Micro-Punch 工具對模具的數(shù)量或位置沒有限制；它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置，它可以獨立壓制最薄和最小的模具，即使它們彼此非常接近。

2022-02-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 3863 0

淺談功率半導(dǎo)體燒結(jié)貼片技術(shù)

銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結(jié)（見圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。

2021-11-12 標(biāo)簽：熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3537 0

NTC溫度傳感器溫度測量解決方案解析

NTC上的溫度測量值大約對應(yīng)于模塊下方散熱器的溫度。NTC可用于監(jiān)視環(huán)境和冷卻條件。

2021-05-03 標(biāo)簽：溫度傳感器NTC散熱器 6064 0

什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點

　除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 標(biāo)簽：MOSFET元器件雙極晶體管 1.6萬 0

SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗

人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實際...

2021-01-27 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3765 0

ITECH半導(dǎo)體測試方案解析，從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌

功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案，并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率，溫升等指標(biāo)驗證，向下游的客戶（生產(chǎn)電機(jī)控制器，UPS，光伏逆變器制造商…）提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1124 0

常用的功率半導(dǎo)體器件

MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...

2019-10-23 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2736 0

關(guān)于功率半導(dǎo)體的性能分析和應(yīng)用介紹

Nexperia 是世界一流標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應(yīng)商， 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場，擁有恩智浦半導(dǎo)體的設(shè)計部門， 以及位于英國和德國...

2019-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導(dǎo)體 1.8萬 0

關(guān)于功率半導(dǎo)體GaO性能分析和介紹

電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其...

2019-08-29 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵功率半導(dǎo)體 4326 0

開關(guān)電源知多少！開關(guān)電源工作原理分析

反觀線性電源，它的設(shè)計理念就是功率至上，即便負(fù)載電路并不需要很大電流。這樣做的后果就是所有元件即便非必要的時候也工作在滿負(fù)荷下，結(jié)果產(chǎn)生高很多的熱量。

2019-08-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源功率半導(dǎo)體開關(guān)元件 4027 0