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標(biāo)簽 > 刻蝕工藝
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說到濕法刻蝕了,這個(gè)是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽到這個(gè)工藝的話,最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果...
中國研發(fā)團(tuán)隊(duì)在SOT-MRAM取得重要進(jìn)展
據(jù)“中科院微電子研究所”消息,為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術(shù)難題以實(shí)現(xiàn)SOT-MTJ的高密度片上集成,同時(shí)研究不同的刻蝕工藝對(duì)器件磁電特性的影...
一種簡(jiǎn)單的原沸石晶種合成單晶分級(jí)ZSM-5沸石
原沸石是非結(jié)晶的,如粉末 X 射線衍射 (XRD) 圖案所示。掃描電子顯微鏡 (SEM) 和透射電子顯微鏡 (TEM) 圖像顯示,原沸石是大小約為5-2...
泛林集團(tuán)推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實(shí)現(xiàn)3D
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作,他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破,這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。
2022-03-22 標(biāo)簽:刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2400 0
關(guān)于光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化研究報(bào)告
摘要 圖案圖像中納米級(jí)粗糙度的最小化已成為微處理器生產(chǎn)中光刻過程的優(yōu)先事項(xiàng)。為了探究表面粗糙度的分子基礎(chǔ),通過將臨界電離模型應(yīng)用于聚合物基體的三維分子晶...
本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時(shí),刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認(rèn)為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiO...
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