詳解無臭氧抗蝕劑剝離工藝

近年來，光掩模抗蝕劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過從這些過程中消除硫酸和氫氧化銨來防止表面霧霾的形成。因此，傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 +...

2022-03-30 標(biāo)簽：工藝參數(shù)光刻 862 0

納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹

在過去的幾年中，納米壓印光刻引起了越來越多的興趣。事實(shí)上，似乎有越來越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對(duì)于特定的最終...

2022-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體納米光刻 7929 0

光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

最近的電子器件大多是由微細(xì)的電路元件構(gòu)成的，為了制造這些元件，微細(xì)加工已成為必須的技術(shù)。以前，為了這個(gè)目的使用了照相蝕刻技術(shù)（光刻法）。但是，半導(dǎo)體集成...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝光刻蝕刻 7506 0

SPM光刻工藝的研究報(bào)告

在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對(duì)其進(jìn)行表征。

2022-02-08 標(biāo)簽：電極光刻光刻機(jī) 2135 0

微氣泡對(duì)光刻膠層的影響

關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻晶片 1746 0

回顧半導(dǎo)體技術(shù)趨勢及其對(duì)光刻的影響分析與應(yīng)用

應(yīng)用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the s...

2019-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式存儲(chǔ)器 4802 0

助力高級(jí)光刻技術(shù)：存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻...

2019-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻EUV 2302 0

芯片制作環(huán)節(jié)光刻的詳細(xì)流程詳解

在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂覀儾拍茉谖⑿〉男酒蠈?shí)現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)

2019-04-20 標(biāo)簽：芯片晶體管光刻 1.1萬 0

芯片光刻的工序流程詳細(xì)資料講解

在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂覀儾拍茉谖⑿〉男酒蠈?shí)現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人Ni...

2019-02-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 1.3萬 0

詳細(xì)解析芯片光刻的步驟

刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

2018-01-09 標(biāo)簽：芯片光刻 1.7萬 0

光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)

對(duì)先進(jìn)光刻掩膜光衍射的精密EMF模擬已成為預(yù)知光刻模擬的必做工作。

2012-05-04 標(biāo)簽：晶圓光刻EUV 7490 0