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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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商務部長威爾伯·羅斯(Wilbur Ross)宣稱:“關鍵技術和新興技術國家戰略是保護美國國家安全,確保美國在軍事、情報和經濟事務中保持技術領先地位的重...
該公司最近推出了Ryzen 9 5950X,5900X,5800X和5600X型號。盡管在Ryzen 5000系列中使用了7 nm光刻技術,但與前幾代產...
微工程研究所的研究人員采用了新型納米結構化技術,稱為熱掃描探針光刻(thermal scanning probe lithography,t-SPL)技...
新型光刻技術解決硅材料脆性難題,MEMS機械性能極限有望突破
聯合小組經過長達十年的研究,重點是采用光刻工藝替代聚焦離子束(FIB)工藝來完成在硅晶圓上的結構制作。FIB雖然可以實現硅晶圓結構,但會對硅表面造成損傷...
與傳統組織活檢相比,檢測原發或轉移灶中脫離進入外周血循環的腫瘤細胞(CTC)具有腫瘤分子信息全、侵入性小、取樣方便等優勢。CTC分析技術的挑戰在于如何從...
據國內媒體報道,來自中國科學院長春光學精密機械與物理研究所等單位的研究人員,開發了一種新型飛秒激光等離子激元光刻技術(FPL)。
該行業正在不斷刷新納米芯片的記錄,這無疑將為我們帶來更多的未來計算可能性。為此,來自世界各地的研究人員正在不斷努力。
設計和開發MEMS器件涉及大量的數學仿真。在制造過程中進行實驗驗證,不僅成本昂貴且非常耗時。為了精準地預測系統響應,需要驗證仿真模型。但是,當需要用模型...
臺積電總市值達到2482億美元超越英特爾,成為半導體行業第一
據臺積電稱,采用EUV光刻技術的N7+(7nm+)工藝已經大批量的供應客戶,但官方沒有透露具體的合作廠商,目前唯一可完全確認的就是華為麒麟990 5G,...
芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
2019年第一季度全球個人電腦出貨量為5850萬臺,比2018年第一季度下降4.6%
昨天,臺積電正式宣布了6nm(N6)工藝,在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度增強,號稱可提供極具競爭力的高性價比,而且能加速產品研發、量產、上市速度。
對于采用不同設備制造相同制程IC的制造廠來說,其技術水平差異就會很突出,例如,有的廠商用EUV設備(光刻波長為13.5nm)才能做7nm芯片,而有的廠商...
三星在其位于韓國華城的Fab S3生產7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步進掃描系統和每個...
新思科技Fusion技術助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能
新思科技設計事業部營銷與商務開發副總裁Michael Jackson表示:“我們與三星的工具和參考流程合作重點在于使設計人員能夠使用三星最新的EUV 7...
光刻技術是集成電路最重要的加工工藝。在整個芯片制造工藝中,幾乎每個工藝的實施,都離不開光刻技術。光刻也是制造芯片的最關鍵技術,占芯片制造成本的35%以上。
2018-04-22 標簽:光刻技術 3698 0
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