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標簽 > 二極管
二極管,(英語:Diode),電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調電容器。
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如何選擇合適的MDDESD保護二極管?關鍵參數與選型技巧解析
在電子設備日益小型化和高集成化的今天,靜電放電(ESD)已成為導致器件失效的主要威脅之一。某智能手表項目因ESD防護不足,導致30%的產品在用戶佩戴初期...
來自電源的電壓尖峰或電壓瞬變可能導致最終的圖像輸出存在缺陷。雖然傳感器的設計允許電源電壓在容差范圍內波動,但一旦出現超出這個范圍的偏差,就會影響圖像質量。
SN75469 兼容 CMOS 或 PMOS 的 100V、7 通道達林頓陣列數據手冊
SN75468 和 SN75469 是高電壓、大電流達林頓晶體管陣列。每 由 7 對 NPN 達林頓對組成,具有帶共陰極鉗位的高壓輸出 用于切換電感負載...
LM706A0-Q1 汽車級、高密度、4.5V 至 65V 輸入、10A 低 EMI 同步 DC/DC 降壓轉換器數據手冊
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LM74703-Q1 具有 FET 良好輸出的汽車級理想二極管控制器數據手冊
LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合 AEC Q100 標準的汽車級理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為...
LM51521-Q1 汽車 2.2MHz 寬 V在禁用旁路模式的低 IQ 同步升壓控制器數據手冊
LM5152x-Q1(LM5152-Q1 和 LM51521-Q1)器件是一款采用峰值電流模式控制的寬輸入范圍同步升壓控制器。 *附件:LM5152x-...
TPS28225-Q1 具有 4V UVLO 的汽車類 4A、27V 半橋柵極驅動器數據手冊
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由于芯片結構的改變,超結MOS的結電容比傳統MOS有很大的降低,超結MOS具有極低的內阻,在相同的芯片面積下,超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一...
CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊
這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標...
二極管作為電子電路中的基礎元件,其分類方式與性能特點直接影響著電路設計的選型策略。本文將從PN結構、半導體材料和封裝形式三個維度系統闡述二極管的分類體系...
TPS54335-2A 4.5V 至 28V 輸入、3A、具有 Eco 模式的同步降壓轉換器數據手冊
TPS54335-2A 同步轉換器,輸入電壓范圍為 4.5 V 至 28 V。該器件具有集成的低側開關 FET,無需外部二極管,從而減少了元件數量。 ...
ISOM8600 功能隔離、直流輸入、常開輸出、單通道隔離開關光仿真器數據手冊
ISOM8600 是一款 80V 單刀常開開關,帶有光仿真器輸入。光仿真器輸入控制背靠背 MOSFET,無需在次級側提供任何電源。這些器件與許多傳統光耦...
UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
關于MDD-TVS二極管工作原理全解析:如何在瞬間保護你的電路?
在電子系統中,瞬態電壓沖擊(如ESD、雷擊、浪涌等)是導致電路損壞的常見原因之一。為了有效防護,MDD-TVS二極管成為工程師們的重要選擇。一、TVS二...
TPS25947 具有集成反極性保護的 2.7V 至 23V、28mΩ、5.5A 電子保險絲數據手冊
TPS25947xx 系列電子保險絲是一款采用小型封裝的高度集成電路保護和電源管理解決方案。這些器件使用極少的外部元件即可提供多種保護模式,并且能夠可靠...
UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器,旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。...
ULN2003AI 50V、7 通道達林頓晶體管陣列,-40C 至 105C數據手冊
ULx200xA 器件是高電壓、大電流達林頓晶體管陣列。每個由七對 NPN 達林頓對組成,這些對具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負載。
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