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如何實(shí)現(xiàn)無外接電容型LDO環(huán)路的穩(wěn)定性

2020-01-14 | rar | 10.99 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

受益于半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展,各類電子產(chǎn)品已經(jīng)融入到人們的日常生活,特別是筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、MP3/MP4等便攜式產(chǎn)品已經(jīng)成為我們生活不可或缺的一部分。在如今提倡低碳環(huán)保的國(guó)際形勢(shì)下,合理利用能源變得尤為重要,而在電子產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)這一功能的便是電源管理芯片DC-DC開關(guān)電源管理芯片由于其高效低耗的優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備當(dāng)中,同時(shí)市場(chǎng)的需求也為DC-DC開關(guān)電源芯片的性能提出了越來越高的要求。 DC-DC電源管理芯片內(nèi)部也是需要供電模塊的,一般由LDO(低壓差)線性穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)構(gòu)成,內(nèi)部供電模塊的性能與否直接影響到芯片自身的可靠性,因此內(nèi)部供電模塊是至關(guān)重要的,而LDO的環(huán)路穩(wěn)定性是諸多性能指標(biāo)中最值得重視的。本文從LDO的基本理論和電性能指標(biāo)入手,強(qiáng)調(diào)出LDO環(huán)路穩(wěn)定性的重要性,再?gòu)睦碚撏茖?dǎo)中分析了目前應(yīng)用較為廣泛的環(huán)路補(bǔ)償方式。根據(jù)對(duì)LDO低頻增益的需求,設(shè)計(jì)了一種能夠跟蹤負(fù)載對(duì)環(huán)路增益進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾娐罚槍?duì)以往基準(zhǔn)預(yù)穩(wěn)壓電路對(duì)工藝的苛刻需求,及對(duì)系統(tǒng)最低工作電壓產(chǎn)生負(fù)面影響的實(shí)際情況,設(shè)計(jì)了一種自基準(zhǔn)LDO,基準(zhǔn)和LDO構(gòu)成自供電自偏置回路,無需再為基準(zhǔn)單獨(dú)供電,這種設(shè)計(jì)方法,能夠有效地縮小DC-DC電源管理芯片內(nèi)部供電模塊的面積,從而減小芯片本身的面積,最終達(dá)到降低成本的目的。 基于0.5μm BCD工藝,在Hspice仿真平臺(tái)下,對(duì)上述的兩種無外接電容型LDO進(jìn)行了驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明,跟蹤負(fù)載增益補(bǔ)償?shù)腖DO,負(fù)載從10μA變化至10mA時(shí),補(bǔ)償前的環(huán)路低頻增益變化范圍為66.3dB~91.1dB,補(bǔ)償后則為78.8dB~91.8dB,并且補(bǔ)償電路對(duì)LDO自身環(huán)路穩(wěn)定性沒有影響。自基準(zhǔn)LDO能夠支持2V-18V工作環(huán)境,靜態(tài)電流為48.93μA,線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率分別為57.27μV/V、28.9mV/mA,LDO和基準(zhǔn)構(gòu)成的自偏置自供電回路增益低于-85dB。自基準(zhǔn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)供電電路面積的減少有明顯效果,且不影響LDO環(huán)路穩(wěn)定性,電路實(shí)現(xiàn)方式是可行的。

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