資料介紹
工作原理(發(fā)射極零偏壓、集電極正偏壓)基區(qū)注入光脈沖時(shí),載流子在能帶之間躍遷,并導(dǎo)致電子空穴倍增,當(dāng)基區(qū)中的光生電子向集電區(qū)移動時(shí),空穴就會復(fù)合掉一小部分從發(fā)射極注入的電子,大多數(shù)未被復(fù)合的電子就到達(dá)集電極隨著光脈沖的斷開,基區(qū)中載流子快速復(fù)合,PSD便處于關(guān)態(tài),同時(shí),異質(zhì)pn結(jié)將承受很大的發(fā)射極、集電極電壓
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步、成熟,新結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用越來越廣泛。而GaN-A|N-4 H-SIC OT PSD較好的開關(guān)特性、增益以及阻斷特性表明由于GaN較短的載流子壽命和很好的光吸收效率(而這對高頻率功率電子器件十分關(guān)鍵)和光吸收能力(這對減少激光成本非常重要)以及碳化硅很高的熱導(dǎo)率以SC作為襯底的GaN外延材料必將在未來的功率半導(dǎo)體器件、高頻、高壓功率器件、以及光電領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。
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