近年來，寬禁帶半導體SiC器件得到了廣泛重視與發展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應力下會產生閾值漂移現象。本文闡述了如何通過調整門極驅動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。

　　1. Vth漂移現象

　　由于寬禁帶半導體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導體氧化層界面特性，會引起閾值電壓變化以及漂移現象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關系，評估其對應用、系統的影響，需要更多的研究及探索。

　　就靜態門極偏置而言，針對Si器件閾值特性的標準測試流程并不適用于SiC MOSFET。因此，一種新的測試方法——測試-偏置-測試——被用來評估SiC MOSFET的BTI（Bias-Temperature Instabilities，偏壓溫度不穩定性）特性。它可以區分可恢復的Vth漂移以及永久性的閾值漂移。這種測量技術已經用來對最新發布的SiC MOSFET的閾值穩定性進行了深度研究。

　　數據顯示，長期的開關應力會引起Vth的緩慢增加。這一現象，在不同品牌、不同技術的SiC MOSFET上均可以觀測到。相同偏置條件下不同器件的Vth漂移值是相似的。Vth上升會引起Rds（on）的輕微上升，長期影響是通態損耗會增加。

　　需要注意的是，器件的基本功能不會被影響，主要有：

　　1、耐壓能力不會受影響

　　2、器件的可靠性等級，如抗宇宙射線能力，抵抗濕氣的能力等不會受影響。

　　3、Vth漂移會對總的開關損耗有輕微影響

　　影響Vth漂移的參數主要包括：

　　1、開關次數，包括開關頻率與操作時間

　　2、驅動電壓，主要是Vgs（off）

　　以下參數對開關操作引起的Vth漂移沒有影響

　　1、結溫

　　2、漏源電壓

　　3、漏極電流

　　4、dv/dt， di/dt

　　2. Vth漂移對應用的影響

　　長期來看，對于給定的Vgs， 閾值漂移的主要影響在于會增加Rds（on）。通常來說，增加Rds（on）會增加導通損耗，進而增加結溫。在計算功率循環時，需要把這個增加的結溫也考慮進去。

　　結溫的增加是否需要格外重視取決于實際應用及工況。在很多案例中，即便是20年工作壽命到期后，結溫的增加仍然可以忽略不計。然而在另一些應用中結溫的增加可能就會很重要。因此，在這種情況下，就需要根據下述的設計指導進行驅動電壓選擇。