有源選址平板顯示（AMFPD）技術的基礎，

　　發展歷程的比較［4］

　　是以 TFT 為器件單位構建的大面積薄膜集成電路，它包括選址電路和周邊驅動集成

　　電路［5］，正如圖 3 所顯示的那樣。該結果采用的是多晶硅薄膜晶體管（poly-Si TFT）的技術。多晶硅材料是由日本夏普和半導體能源實驗室聯合開發成功的連續晶粒技術。鑒于 poly-Si 的高遷移率能力，故可將周

　　邊驅動電路與圖象選址電路集成于一 （a （b）

　　體、構建全集成型 SOP-LCD，甚至將

　　CPU 亦集成于其中。因此我們說有源

　　選址平板顯示的技術特色，是屬于薄膜微電子學的范疇。綜合分析先進的有源選址的顯示屏（無論是 LCD 還是 OLED）都離不開起開關（或驅動）作用的 TFT。而 TFT 的結構和工作原理與單晶硅 MOS 管基本相似。這就使得可以借鑒 MOS 器件的某些技術，然而它們有源材料的不同，又帶給 TFT 自身獨有的特點：

　　它的優點是：非晶硅材料，易于大面積、均勻、低溫制備；可選用連續沉積，自動化程度高；進而成本低。這正是 AM-LCD 的發展，能夠遵從第二個“摩爾”定律那樣，使產業化的母板尺寸，幾乎也是每兩年就能翻一番。

　　然而它的缺點也是很明顯的：

　　⑴ TFT-LCD 制備在一種外來的非硅襯底之上，如玻璃，塑料等，這些襯底與硅結構的差異，導致生長的材料是一種原子排列為無序網絡式的非晶態或者微晶態的結構，因此它的性能顯然會比單晶硅差的很多，就遷移率來說，可差到兩至三個量級。如此低劣的性能，在工藝技術以及器件設計上，需要賦予足夠的智力。

　　⑵ 硅基薄膜材料的結構無序化，使得描述器件的物理模型，與單晶硅器件的模型相差甚遠，

　　
　可以借鑒一些概念，但是不能照搬，必須建立薄膜器件自己的模型以及制備規則。

　　⑶ 隨母板尺寸的不斷升級，出現了大尺寸帶來的新的問題，如相應大小加工設備的制造問題；襯底加工過程中受溫的形變、大面積自身重力導致的形變等不均勻問題，大面積系統沉積的均勻問題（如薄膜沉積過程中引入的應力導致襯底最大 6mm 的形變［6］，參見圖 4）；搬運過程中的其他問題，都將隨尺寸的增大問題越多，越來越顯現，圖 4 僅是一個非常簡單的示例（未計入重力問題）。