射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備。與傳統(tǒng)的行波放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要。因此對該課題的研究具有非常重要的意義。 設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOSI藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAs和CMOS工藝之間，價(jià)格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場合。 本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs三種工藝。（1）由SMIC0．18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2．4GHz，采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加效率PAE大于15％，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20％，芯片面積為1．4mm*0．96mm；（2）由IBM5PAE0．35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5．25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3．3V，仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15％，最大飽和輸出功率為29．5dBm，芯片面積為1．56mm*1．2mm；（3）由WIN0．15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27～32GHz，使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率P1dB26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29．9dBm且PAE大子25％，芯片面積為2．76mm*1．15mm。論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過程。對三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對比，并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。