資料介紹
本文的目的是為了在開關(guān)型汽車應(yīng)用中給出功率MOSFET電壓暫態(tài)時(shí)間的三種計(jì)算方法。gate-to-drain電容(CGD或crs)高非線性,不能輕易納入工程計(jì)算。不同的計(jì)算方法是基于這種電容的不同近似。在這張紙幣上將有兩種這樣的方法。第三種方法是基于gto -漏電荷定義。它將表明,PWM在汽車中的應(yīng)用,例如在EPS等馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器,EHPS,發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇,等等,它是不可缺少重要的使用部分Qgd和crs值很低。這使顯著降低切換損失,同時(shí),瞬變快,減少負(fù)面影響的逆變器空載(消隱時(shí)間)電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能。
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